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DATE - 2020/11/09
矽電容器介紹 Radio Frequency Silicon Capacitors
高性能,高精度
在過去一二十年內,半導體生產在材料、流程、產量、成本降低、可重複性、可靠性和簡易性方面得到了極大地改進。相反,被動元件中很少有顯著的創新優勢。所以尋找集中在半導體工藝上的高 Q、高頻率電容器替代了傳統的電容器工藝。這樣的結果產生了真實射頻電容器,在簡單、低成本、高可靠性半導體工藝和世界範圍內可獲得的材料經濟性基礎上電容容量增加了十倍。

RFID技術助力光纖管理
近年來,光纖網絡規模日趨龐大,結構日益複雜,找到對應的接口接駁光纜需要耗費大量的時間,如果接錯線可能導致系統停頓,造成巨大損失。傳統的手寫或者人工輸入的方式已經不能滿足光纜管理市場需求,如何實現光纖的科學管理成為數據中心、IT部門、光纖製造商、IT設備供應商等機構頭疼的問題。RFID(射頻識別)技術應用到光纖網絡中,實現快速高效的配對、認證,提供科學有效的管理模式。

Agenda:
寬帶和高頻特性
矽電容器的特性
全球矽電容器市場
應用與產品路線圖

射頻矽電容器Radio Frequency Silicon Capacitors
已開發具有半導體MOS(金屬氧化物半導體)結構和工藝的Powercap矽電容器。 提供晶圓級芯片級封裝。
本規範適用於電氣設備中使用的矽電容器,電壓範圍為10V至100V,MSL為1,與厚度和端接無關。
該系列適用於光纖通信(ROSA / TOSA,SONET和所有光電),直流去耦,阻抗匹配,耦合和超寬帶應用中的RF旁路,電路,電信,汽車,毫米波,個人計算機和外圍設備,PA ,VCO和移動應用程序。 (符合RoHS)

特徵
小於008004(0.250x0.125mm)的超小型尺寸
高穩定性電容和緊密公差
適用於高可靠性電容器的MOS工藝
汽車高溫/極端溫度電容器–最高200°C / 250°C
薄型電容器–80umthickness(根據要求)
超寬帶SMD /可線綁定電容器–高達40GHz +
適用於高速數據系統的超低ESR和超低ESL電容器

 
Radio Frequency
Silicon Capacitors
Chip
Size
Temperature
Characteristics
Capacitance Capacitance
Tolerance
Rated
Voltage
Parts Number
Code
In Stock
Code
RFSC 0402
1.00X0.50mm
CG
-55°C~+125°C 30 ppm/°C
10pF J ± 5.00 % 50V RFSC0402CG100J500* 57

全球矽電容器市場

溫度係數

直流偏置穩定性能比較


ESL Characteristic of MLCC vsSi-Cap


矽電容 v.s. MLCC X8S 介電常數變化

節省空間的比較


鉭,MLCC和矽電容器的厚度比較



PEC Si-Cap (0402/10pF) v.s. C3_Company AccuP(0402/10pF) comparison




應用與產品


矽電容器目標應用




RFSC Series-Approval Sheet 
Si-Cap to introduction for Agent