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商品項目:15938
庫存現貨
DATE - 2024/03/08
鏵德科技 公司簡介
BWATTER

鏵德科技聚焦在大功率和高電壓的產品及應用的開發,在氮化鎵電源產品及方案已有相對穩定的客戶基礎,已成功打入成品市場,與台灣大廠(環球晶圓)為多年合作開發夥伴關係,新型氮化鎵器件也紛紛開始在電源大廠進行產品認證,未來具有成長潛力。主要應用在AC-DC雙向電源轉換器、戶外儲能電源產品 ; 因採用氮化鎵方案結合高效諧振技術,除了高效率也帶來更好散熱,目前資料中心、電信和其他工業應用,需要越來越大的電源供應,同時也需要減小系統尺寸、降低重量、環境影響和成本,並以相同或更小的外形尺寸達到更高的功率水準,同時提高熱性能的解決方案。也期望在市場提供更多高效能、節能環保的新一代功率器件。

鏵德科技最有價值的資產是一群長期鑽研用於氮化鎵產品之「設計開發」 (含IC元件設計及整合開發) 及「電源管理方案技術/產品/應用領域」的高素質技術團隊,整合了氮化鎵磊晶優化、氮化鎵晶圓生產、電源方案模組設計到成品應用等一條龍完整研發能力的團隊,並掌握整合上下游供應鏈的能力。

 
公司基本資料 授權代理商
鏵德科技股份有限公司 汎翊國際有限公司
BWATTER TECHNOLOGY CO., LTD. FLYING INTERNATIONAL.
臺北市內湖區石潭路65號4樓 新北市三重區光復路一段80號五樓(台北科技城)
創立日期:2021年6月 創立日期:2013年2月
實收資本額:NT$ 1億500萬 實收資本額:NT$ 2000萬
主要產品為氮化鎵產品 Tel:02-2995-7676*222
  PM:李惠雄 Jason
https://bwatter.com/index mail:jason.li@flying1688.com


氮化鎵產品

整合式氮化鎵晶片


特點
  • 內置GaN功率晶片,集成高壓啓動電路,X電容放電功能
  • 退磁檢測電路
  • 搭配氮化鎵專用驅動電路及特有抖動技術(Frequency Jitter)
  • 高低壓功率補償功能
  • 豐富的保護功能,輸出OVP,OLP,短路保護,VCC,OCP等
  • 兩種封裝形式,覆蓋12W-75W應用,適合高頻高功率密度電源
bWT-G652R2B-P bWT-G650R4B-D bWT-G651R2B-P
準諧振反激控制AC-DC 功率開關電晶體 
12W/650V/2.2Ω GaN HEMT
功率管驅動電路 ·邏輯控制電路

特點
  • 峰值90%效率
  • 最高支持250KHz 開關頻率
  • 待機功耗低於50mW
  • 採用QR 工作模式
  • 內置算法優化的谷底檢測電路和谷底鎖定電路
  • 內置退磁檢測電路
  • 內置抖頻電路有效改善EMI
  • 內置高低壓輸入功率補償電路,保證高低壓下最大輸出功率一致
  • 無鹵素且符合ROHs 要求
  • 通過IEC 62368-1:2018 安全認證
  • 封裝型號PDFN5*6
應用
  • 高功率密度快速充電器
  • 適配器
  • 筆記本電腦適配器
  • 平板電腦適配器
  • 機頂盒適配器
準諧振反激控制AC-DC 功率開關電晶體 
45W/650V/400mΩ GaN HEMT
功率管驅動電路 ·邏輯控制電路

特點
  • 峰值93.5%效率
  • 最高支持250KHz 開關頻率
  • 待機功耗低于50mW
  • 採用QR 工作模式外圍極致精簡
  • 內置Frequency Jitter有效改善EMI
  • 內置高低壓輸入功率補償電路,保證高低壓下最大輸出功率一致
  • 無鹵素且符合ROHs 要求
  • 封裝型號DFN8*8



 
應用
  • 功率密度快速充電器
  • 筆記型電腦適配器
  • 平板電腦適配器
  • 機上盒適配器
準諧振反激控制AC-DC 功率開關電晶體 
20W/650V/1.2Ω GaN HEMT
功率管驅動電路 ·邏輯控制電路

特點
  • 峰值92%效率
  • 最高支持250KHz 開關頻率
  • 待機功耗低於50mW
  • 採用QR工作模式
  • 內置算法優化的谷底檢測電路和谷底鎖定電路
  • 內置退磁檢測電路 內置抖頻電路有效改善EMI
  • 內置高低壓輸入功率補償電路,保證高低壓下最大輸出功率一致
  • 無鹵素且符合ROHs 要求
  • 通過IEC 62368-1:2018 安全認證,編號 為NO123514
  • 封裝型號PDFN5*6
應用
  • 高功率密度快速充電源
  • 適配器
  • 筆記本電腦適配器
  • 平板電腦適配器
  • 機頂盒適配器
Datasheet: Datasheet: Datasheet:
bWT-G650R8B-P bWT-G650R6B-P bWT-G650R26B-D
準諧振反激控制AC-DC 功率開關電晶體 
25W/650V/800mΩ GaN HEMT
功率管驅動電路 ·邏輯控制電路

特點
  • 峰值92.7%效率
  • 最高支持250KHz 開關頻率
  • 待機功耗低於50mW
  • 採用QR 工作模式
  • 內置算法優化的谷底檢測電路和谷底鎖定電路
  • 內置退磁檢測電路
  • 內置抖頻電路有效改善EMI
  • 內置高低壓輸入功率補償電路,保證高低壓下最大輸出功率一致
  • 無鹵素且符合ROHs 要求
  • 通過IEC 62368-1:2018 安全認證,編號 為NO123514
  • 封裝型號PDFN5*6
應用
  • 高功率密度快速充電
  • 適配器
  • 筆記本電腦適配器
  • 平板電腦適配器
  • 機頂盒適配器
準諧振反激控制AC-DC 功率開關電晶體 
35W/650V/600mΩ GaN HEMT
功率管驅動電路 ·邏輯控制電路

特點
  • 峰值92.7%效率
  • 最高支持250KHz 開關頻率
  • 待機功耗低於50mW
  • 採用QR 工作模式
  • 內置算法優化的谷底檢測電路和谷底鎖定電路
  • 內置退磁檢測電路
  • 內置抖頻電路有效改善EMI
  • 內置高低壓輸入功率補償電路,保證高低壓下最大輸出功率一致
  • 無鹵素且符合ROHs 要求
  • 封裝型號PDFN5*6


應用
  • 高功率密度快速充電器
  • 適配器
  • 筆記本電腦適配器
  • 平板電腦適配器
  • 機頂盒適配器
準諧振反激控制AC-DC 功率開關電晶體 
65W/650V/260mΩ GaN HEMT
功率管驅動電路 ·邏輯控制電路

特點
  • 峰值94%效率
  • 最高支持250KHz 開關頻率
  • 待機功耗低于50mW
  • 採用QR 工作模式
  • 外圍極致精簡
  • 內置Frequency Jitter有效改善EMI
  • 內置高低壓輸入功率補償電路,保證高低壓下最大輸出功率一致
  • 無鹵素且符合ROHs 要求
  • 封裝型號DFN8*8



應用
  • 高功率密度快速充電器
  • 筆記型電腦適配器
  • 平板電腦適配器
  • 機上盒適配器
Datasheet: Datasheet: Datasheet:
bWT-G650R17B-D    
   
準諧振反激控制AC-DC 功率開關電晶體 
75W/650V/170mΩ GaN HEMT
功率管驅動電路 ·邏輯控制電路

特點
  • 峰值94.3%效率
  • 最高支持250KHz 開關頻率
  • 待機功耗低于50mW
  • 採用QR 工作模式外圍極致精簡
  • 內置Frequency Jitter有效改善EMI
  • 內置高低壓輸入功率補償電路,保證高低壓下最大輸出功率一致
  • 無鹵素且符合ROHs 要求
  • 封裝型號DFN8*8
應用
  • 高功率密度快速充電
  • 適配器
  • 筆記本電腦適配器
  • 平板電腦適配器
  • 機頂盒適配器
   
Datasheet:    



分離式氮化鎵晶片
 
bWT-G650R13D-D bWT-G650R23D-D bWT-G650R13D-T
特點
  • 低開關損耗
  • 易於使用,與標準閘極驅動器兼容
  • 低 Qrr,無需自由輪二極管
  • 優秀的 Qg x RDS(on) 產品 (FOM)
應用
  • 高效率電源供應器
  • 高效率 USB PD 適配器
  • 其他消費性電子產品
特點
  • 低開關損耗
  • 易於使用,與標準閘極驅動器兼容
  • 低 Qrr,無需自由輪二極管
  • 優秀的 Qg x RDS(on) 產品 (FOM)
應用
  • 高效率電源供應器
  • 高效率 USB PD 適配器
  • 其他消費性電子產品
特點
  • 易於使用,與標準閘極驅動器兼容
  • 低 Qrr,無需自由輪二極管
  • 優秀的 Qg x RDS(on) 產品 (FOM)
  • 低開關損耗
  • 符合 RoHS 標準且無鹵素
應用
  • 電源適配器
  • 電信和數據通信
  • 汽車
  • 伺服馬達
Datasheet: Datasheet: Datasheet: