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DATE - 2023/02/08
英飛凌出手購併GaN Systems 寬能隙半導體趨勢仍是對的

GaN Systems 是氮化鎵功率半導體解決方案的全球技術領導者,總部位於加拿大渥太華,擁有200多名員工。

英飛凌表示,透過這次購併,將鞏固英飛凌在矽基半導體與碳化矽、氮化鎵的寬能隙半導體的領導地位。2家公司已簽署最終協議,英飛淩將以8.3億美元的價格收購 GaN Systems。

在雙方的共同新聞稿中,英飛淩全球執行長Jochen Hanebeck表示,GaN技術正在為支持更為節能減碳的解決方案鋪路。在移動充電、資料中心電源、住宅太陽能逆變器、電動車、車載充電器(OBC)等應用中的應用正處於轉捩點,帶來強勁的市場成長動能。

基於業界領先的研發資源、應用知識和客戶合作計畫,收購GaN Systems計畫將加快英飛凌發展GaN的路線圖。透過這次的合併,英飛凌將掌握所有相關電源技術,加強在電源系統領域的領導地位,無論是在矽、碳化矽或氮化鎵應用上。

GaN Systems 全球執行長 Jim Witham 表示,GaN Systems 團隊很榮幸能與英飛淩合作,在互補優勢的基礎上創造高度差異化的客戶產品,將以最佳方式利用氮化鎵的潛力。後續將GaN Systems在晶圓代工方面的布局,與英飛淩的內部製造能力相結合,將實現最大的成長動能,提供即時服務,在更廣泛的目標市場中加速GaN的應用落地。

市場預估,到2027年,氮化鎵市場將以56%的年複合增長率(CAGR)增長至約 20 億美元。氮化鎵正在成為功率半導體的關鍵材料,與矽和碳化矽並駕齊驅。

2022年2月,英飛淩投資超過20億歐元在馬來西亞居林(Kulim, Malaysia)新建一座前段工廠,以加倍擴大寬能隙半導體產能,鞏固其市場地位,第一批晶圓預計於2024年下半出貨。

此收購計畫以全現金交易方式進行,該交易須遵守慣例成交條件,包括主管機關的批准。