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商品項目:17810
庫存現貨
DATE - 2025/12/30
冠寶-CD4148WN
2025年新增授權代理品牌:冠寶科技 Crownpo

開關二極體（Switching Diode）的原理是利用二極體的單向導電性，在順向偏壓時快速導通 (ON) 形成低電阻路徑，
在反向偏壓時快速截止 (OFF) 形成高電阻狀態，實現電子開關功能，其關鍵是極短的恢復時間 (trr)，
使其在高頻下也能快速切換，常應用於高速整流、脈衝電路和自動控制等。
 
特性
快速響應: 具有極短的開通時間和反向恢復時間，使其適合高頻應用。
低電容: 勢壘電容小，在高頻下能有效防止電流透過電容旁路，保持開關性能。
應用: 用於高速整流、脈衝訊號處理、開關電源中的整流和自動控制電路。
與普通二極體的區別普通二極體（如整流二極體）也具備單向導電性，
但開關二極體是針對快速切換功能設計的，犧牲了部分耐壓或耐流能力，換取了更快的開關速度。
 
1N4148 是全球電子工程中最通用且經典的高速開關二極體。
它屬於小信號二極體，以極快的切換速度和極高的可靠性著稱，廣泛應用於高頻信號處理與數位電路中。

1. 核心技術規格 (25°C 下典型值)
反向恢復時間 (trr)： ≤ 4.0 ns（奈秒）。
最大重複反向電壓 (VRRM)： 100 V。
最大連續正向電流 (IF)： 150 mA
正向壓降 (VF)： 約 1.0V MAX (於 100mA 時)。
接面電容 (Cj)： 極低，僅約 4.0 pF。
2. 主要封裝形式
1N4148 提供多種封裝以適應不同電路需求：
DO-35： 傳統的穿孔式（Through-hole）玻璃封裝，適合手動焊接和原型實驗。
SOD-123 / SOD-323： 常見的表面貼裝（SMD）封裝，用於現代小型化電子產品。
LL34 (MiniMELF / 焊盤適配 1206 )： 圓柱形貼片封裝，適合自動化生產。 
3. 典型應用場景
高速切換： 數位邏輯電路中的信號切換與邏輯閘組合。
信號保護： 作為「鉗位二極體」（Clamping Diode），防止電路受靜電或瞬態電壓衝擊。
續流保護： 在小型繼電器（Relay）電路中，防止斷開瞬間產生的反向電動勢損壞驅動三極管。
波形整形： 應用於限幅（Clipping）、檢波與調幅信號處理。
4. 與其他型號的差異
與 1N4001 對比： 1N4001 是大電流、慢速的整流二極體（trr 達數微秒），不可用於高頻開關電路；1N4148 則專精於「速度」而非「功率」。
選型建議： 若您的電路頻率高於 1MHz，或需要處理精細的小信號，1N4148 是最穩定且低成本的首選方案。
5. 封裝對應請參考如下 ~
1206=SOD-123 & LL34
0805=SOD-323
0603=SOD-523

CROWNPO與其他廠牌對應料件比較表
 
料號 廠牌 封裝 重複峰值反向電壓 VRRM 平均整流電流 IF(AV) 工作溫度
CD4148WN主推 CROWNPO 授權代理 1206 100 V 150 mA −55 ~ +150 °C
LL4148-GS08 VISHAY LL-34  100 V 150 mA −65 ~ +175 °C
LL4148 GW LL-34  100 V 150 mA −65 ~ +200 °C
1N4148W GW SOD-123 100 V 150 mA −65 ~ +150 °C
1N4148W_R1_00001 PANJIT SOD-123 100 V 200 mA −55 ~ +150 °C
1N4148W-TG WILLAS SOD-123 100 V 150 mA −55 ~ +150 °C
L1N4148WT1G LRC SOD-123 100 V 200 mA −65 ~ +150 °C
MMSD4148T1G OMSEMI SOD-123 100 V 200 mA −55 ~ +150 °C
1N4148W-13-F DIODES SOD-123 100 V 150 mA −55 ~ +150 °C
1N4148W-TP MCC SOD-123 100 V 150 mA −65 ~ +150 °C
1N4148W-G3-08 VISHAY SOD-123 100 V 150 mA −55 ~ +150 °C
1N4148W-G RHG TAIWAN SEMICONDUCTOR SOD-123 100 V 150 mA −65 ~ +150 °C

另外冠寶還有生產更小型化的開關二極體
料號 廠牌 封裝 重複峰值反向電壓 VRRM 平均整流電流 IF(AV) 工作溫度
CD4148WSN CROWNPO 授權代理 0805 100 V 150 mA −55 ~ +150 °C
CD4148WTN CROWNPO 授權代理 0603 90 V 100 mA −55 ~ +150 °C