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- 1210 5% 1/2W
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- 2010 1% 1W
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- COMCHIP SMB 600W TVP
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- P:2.5mm 小杜邦
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- KT 系列 (DC-AC)
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- IO-X-0604D 系列 (DC - DC)(1/2/4/8 Port)
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當單台 AI 伺服器的 MLCC 用量正式突破萬顆,加上 GaN 與 SiC 等電源架構改寫,高階 MLCC 的交期已一路拉長至 16 到 24 週。在日韓龍頭廠把產能全力抽調至 AI 高容產品的同時,缺貨壓力也從最上游一路延燒到整體通用型市場,甚至出現『給得起價錢,卻給不出交期』的缺貨警訊。
一、 什麼是 MLCC?MLCC(Multi-Layer Ceramic Capacitors,積層陶瓷電容)是由陶瓷介電層與內電極交替堆疊、經高溫燒結而成的被動元件。
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主要功能: 負責電路中的穩壓、濾波與去耦(Decoupling)。
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使用量:
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高階智慧型手機:每台約用上千顆。
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AI 伺服器:每台動輒使用上萬顆。
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二、 MLCC 產業真實供需結構分析
1. 需求端:AI 機櫃帶來結構性轉變
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成本佔比提升: MLCC 在 AI 伺服器的物料清單(BOM)中,已躍升為僅次於 GPU 與記憶體晶片的第三大成本項。
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規格與規格提升原因:
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GPU 功耗增加、供電電壓下降: 電流增大導致供電軌的電壓漣波加劇,必須在靠近晶片處使用大量高規格去耦電容。
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寬能隙半導體(GaN、SiC)導入: 電源架構變革推動諧振電容改用 NPO 陶瓷材質,元件尺寸從手機級(0201、0402)放大至 1206、1210 甚至 2220,單顆消耗的產能顯著增加。
-
-
產品差異比較:
| 比較項目 | 通用型 / 消費規 MLCC | AI 伺服器用高階 MLCC |
| 主要規格 | X5R 等消費級溫度特性,中低容值 | 高容值、低電壓、小尺寸、高規格(X6S、X7R) |
| 典型應用 | 手機、筆電、家電、一般工控 | GPU/ASIC 供電去耦、AI 機櫃電源模組 |
| 製程與良率 | 層數較少,技術與良率成熟 | 數千層極薄介電層堆疊,技術門檻與良率要求高 |
| 產能與擴產 | 既有產線可互相調度 | 需專用先進產線,建置週期約 18–24 個月 |
| 上游原料 | 中低階陶瓷粉供給充足 | 高純度細粒徑鈦酸鋇粉,供給集中 |
2. 供給端:擴產瓶頸與排擠效應
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產能排擠效應: 龍頭廠商(如村田、三星電機)將大量產能轉向生產 AI 高階高容產品,導致通用型/消費型 MLCC 出現產能缺口。
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上游材料瓶頸: 高階 MLCC 需極細粒徑的高純度鈦酸鋇(BaTiO₃)陶瓷粉體,技術與供給高度集中於少數日廠,擴產週期需約 1 年。
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交期顯著拉長: 高階 MLCC 的交期已從常規的 8~12 週拉長至 16~24 週。
三、 2026 年 MLCC 主要廠商價格調漲動態
| 時間 | 廠商 | 調價範圍 / 項目 | 備註與市場訊號 |
| 2026/04 | 村田 (Murata) | AI 伺服器與高階車規 MLCC 調漲 15%~35% | 集中於高階需求 |
| 2026/04 | 太陽誘電 | 中國通路消費性電子與部分車用 MLCC 調漲 6%~13% | 通路與車用試水溫 |
| 2026/05 | 太陽誘電 | 部分 MLCC、電感器、鐵氧體磁珠調價 | 上游材料(銀、鎳)成本推升 |
| 2026/06 | 三星電機 | 消費性電子 MLCC 調漲 | 跟進調整 |
| 2026/07 | 村田 (Murata) | AI 伺服器與高階車規 MLCC 二度調漲 10%~40% | 高階產能極度吃緊 |
| 2026/07 | 國巨 (Yageo) | 全系列電容產品分級調漲 | 台廠隨同整體供需走揚 |
| 2026/07 | 太陽誘電 | 預告 9/1 出貨調價,並聲明無法保證交期 | 顯示市場客戶無替代產能可轉單 |
| 2026/08 | 三星電機 | 旗下全線 MLCC 產品全面調漲 30% | 漲幅最大 |
四、 產業賽局與結構亮點
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「交期無法保證」為真實缺貨指標: 在 MLCC 產業中,名目調幅多為議價參考,但當廠商發函直接註明「無法保證按交期供貨」,代表賣方具備絕對議價籌碼,買方已無轉單選擇。
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三廠策略區隔:
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村田 (Murata): 擁有全球高階 AI 電容約七成市占,主導高階市場價格與規範。
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三星電機 (SEMCO): 透過大型長約鎖定 AI 伺服器客戶,調幅最為顯著。
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太陽誘電 (Taiyo Yuden): 產品組合偏向中階與通用型,承接龍頭轉移後的通用型缺口,成為發動調價頻率最高的「破冰者」。
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長期需求水位上移: 業者預估 MLCC 需求並非短期波動,而是世代交替帶動的長期上升,主要業者已規劃逐步上修中期(至2030年)的 MLCC 產能年成長目標。
