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N Channel Product CEP93A3 30V 150A TO-220
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| 商品名稱 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 訂購數量 | |
| 依數量訂價 | 15 NTD |
| FLYiNG 零件編號 | ICCEP93A3CET |
| FLYiNG 庫存現貨 | 電洽/Contact |
| 製造商 | CET |
| 製造商零件編號 | CEP93A3 |
| 說明 | N Channel Product CEP93A3 30V 150A TO-220 |
| 無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 | RoHS |
| 訂購數量 | NTD 單價 / PCS |
| 1~9 | 15 |
| 10~99 | 8 |
| Power MOSFET | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 製造商 | CET |
| 系列 | CEP93A3 |
| 原廠料號 | CEP93A3 |
| 漏-源電壓VDS | 30V |
| 閘-源電壓 VGS | ±20V |
| 漏極電流ID | 150A |
| 漏-源擊穿電壓BVDSS | 30V |
| 閘極閥值電壓VGS(TH) | 1~3V |
| 功耗 | 120W |
| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C |
| 無鉛狀態 RoHS | RoHS |
| 安裝類型 | DIP 引腳 |
| 封裝／外殼 | TO-220 |
| 標準包裝數量 | 50PCS/TUBE,1000PCS/BOX |
| 重量 | 1920mg |
CEP93A3/CEB93A3
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
CEP93A3 / CEB93A3
N通道增強模式場效應晶體管
特徵
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
- 30V, 150A, RDS(ON) = 3.0 mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.0 mW @VGS = 4.5V.
- Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
- High power and current handing capability.
- Lead free product is acquired.
- TO-220 & TO-263 package.
CEP93A3 / CEB93A3
N通道增強模式場效應晶體管
特徵
- 30V，150A，RDS（ON）= 3.0毫瓦@VGS = 10V。 RDS（ON）= 6.0毫瓦@VGS = 4.5V。
- 超高密度單元設計可實現極低的RDS（ON）。
- 高功率和電流處理能力。
- 獲得無鉛產品。
- TO-220和TO-263封裝。
