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FLYiNG 零件編號 | ICCEU6185CET |
FLYiNG 庫存現貨 | 10 |
製造商 | CET |
製造商零件編號 | CEU6185 |
說明 | P Channel CEU6185 60V 36A TO-252 |
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 | RoHS |
訂購數量 | NTD 單價 / PCS |
1~9 | 20 |
10~99 | 15 |
Power MOSFET | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
製造商 | CET |
系列 | CED6185/CEU6185 |
原廠料號 | CEU6185 |
漏-源電壓VDS | -60V |
閘-源電壓 VGS | ±20V |
漏極電流ID | -36A |
漏-源擊穿電壓BVDSS | -60V |
閘極閥值電壓VGS(TH) | -1~-3V |
功耗 | 48W |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C |
無鉛狀態 RoHS | RoHS |
安裝類型 | SMD 表面黏著式 |
封裝/外殼 | TO-252(D-PAK) |
標準包裝數量 | 80/Tube,2500/Reel,5000/Box |
重量 | 325mg |
CED6185/CEU6185
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
CED6185 / CEU6185
P通道增強模式場效應晶體管
特徵
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
- -60V, -36A, RDS(ON) = 20mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 26mW @VGS = -4.5V.
- Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
- High power and current handing capability.
- RoHS compliant.
- TO-251 & TO-252 package.
CED6185 / CEU6185
P通道增強模式場效應晶體管
特徵
- -60V,-36A,RDS(ON)= 20mW @VGS = -10V。 RDS(開)= 26mW @VGS = -4.5V。
- 超高密度單元設計可實現極低的RDS(ON)。
- 高功率和電流處理能力。
- 符合RoHS。
- TO-251和TO-252封裝。