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BSS138G-AE2-R SOT-23-3
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FLYiNG 零件編號 ICBSS138GAE2RUTC
FLYiNG 庫存現貨 10
製造商 UTC
製造商零件編號 BSS138G-AE2-R
說明 BSS138G-AE2-R SOT-23-3
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS / Halogen Free
Power MOSFET Planar Power MOSFET & DEPLETION-MODE MOSFET
製造商 UTC
系列 BSS138
原廠料號 BSS138G-AE2-R
漏-源電壓VDSS 50V
閘-源電壓 VGSS ±20V
漏極電流ID 0.2A
漏-源擊穿電壓BVDSS 50V
閘極閥值電壓VGS(TH) 0.8~1.5V
功耗 0.36W
接面溫度 150°C
無鉛狀態 RoHS RoHS / Halogen Free
安裝類型 表面黏著式 SMD
封裝/外殼 SOT-23-3
標準包裝數量 3000/REEL 捲軸
BSS138 Power MOSFET
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE

DESCRIPTION

This device employs advanced MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance.
Optimized for switching applications, this device improves theoverall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher switching frequencies.

FEATURES
  • RDS(ON) ≤ 3.5Ω @ VGS=10 V, ID=0.22A
    RDS(ON) ≤ 6.0Ω @ VGS=4.5V, ID=0.22A
    RDS(ON) ≤ 8.0Ω @ VGS=2.5V, ID=0.20A
  • Low Capacitance
  • Low Gate Charge
  • Fast Switching Capability
  • Avalanche Energy Specified

BSS138 功率 MOSFET
N通道邏輯電平增強模式

描述

該器件採用先進的 MOSFET 技術,具有低柵極電荷,同時保持低導通電阻。
該器件針對開關應用進行了優化,提高了 DC/DC 轉換器的整體效率,並允許在更高的開關頻率下工作。

特徵
  • RDS(ON) ≤ 3.5Ω @ VGS=10 V, ID=0.22A
    RDS(ON) ≤ 6.0Ω @ VGS=4.5V, ID=0.22A
    RDS(ON) ≤ 8.0Ω @ VGS=2.5V, ID=0.20A
  • 低電容
  • 低柵極電荷
  • 快速切換能力
  • 雪崩能量指定