圖片僅供參考
FLYiNG 零件編號 | ICBSS138GAE2RUTC |
FLYiNG 庫存現貨 | 10 |
製造商 | UTC |
製造商零件編號 | BSS138G-AE2-R |
說明 | BSS138G-AE2-R SOT-23-3 |
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 | RoHS / Halogen Free |
Power MOSFET | Planar Power MOSFET & DEPLETION-MODE MOSFET |
製造商 | UTC |
系列 | BSS138 |
原廠料號 | BSS138G-AE2-R |
漏-源電壓VDSS | 50V |
閘-源電壓 VGSS | ±20V |
漏極電流ID | 0.2A |
漏-源擊穿電壓BVDSS | 50V |
閘極閥值電壓VGS(TH) | 0.8~1.5V |
功耗 | 0.36W |
接面溫度 | 150°C |
無鉛狀態 RoHS | RoHS / Halogen Free |
安裝類型 | 表面黏著式 SMD |
封裝/外殼 | SOT-23-3 |
標準包裝數量 | 3000/REEL 捲軸 |
BSS138 Power MOSFET
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE
DESCRIPTION
This device employs advanced MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance.
Optimized for switching applications, this device improves theoverall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher switching frequencies.
FEATURES
BSS138 功率 MOSFET
N通道邏輯電平增強模式
描述
該器件採用先進的 MOSFET 技術,具有低柵極電荷,同時保持低導通電阻。
該器件針對開關應用進行了優化,提高了 DC/DC 轉換器的整體效率,並允許在更高的開關頻率下工作。
特徵
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE
DESCRIPTION
This device employs advanced MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance.
Optimized for switching applications, this device improves theoverall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher switching frequencies.
FEATURES
- RDS(ON) ≤ 3.5Ω @ VGS=10 V, ID=0.22A
RDS(ON) ≤ 6.0Ω @ VGS=4.5V, ID=0.22A
RDS(ON) ≤ 8.0Ω @ VGS=2.5V, ID=0.20A - Low Capacitance
- Low Gate Charge
- Fast Switching Capability
- Avalanche Energy Specified
BSS138 功率 MOSFET
N通道邏輯電平增強模式
描述
該器件採用先進的 MOSFET 技術,具有低柵極電荷,同時保持低導通電阻。
該器件針對開關應用進行了優化,提高了 DC/DC 轉換器的整體效率,並允許在更高的開關頻率下工作。
特徵
- RDS(ON) ≤ 3.5Ω @ VGS=10 V, ID=0.22A
RDS(ON) ≤ 6.0Ω @ VGS=4.5V, ID=0.22A
RDS(ON) ≤ 8.0Ω @ VGS=2.5V, ID=0.20A - 低電容
- 低柵極電荷
- 快速切換能力
- 雪崩能量指定