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10N60G-TQ2-R TO-263
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FLYiNG 零件編號 IC10N60GTQ2RUTC
FLYiNG 庫存現貨 14
製造商 UTC
製造商零件編號 10N60G-TQ2-R
說明 10N60G-TQ2-R TO-263
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS / Halogen Free
Power MOSFET Planar Power MOSFET & DEPLETION-MODE MOSFET
製造商 UTC
系列 10N60G
原廠料號 10N60G-TQ2-R TO-263
漏-源電壓VDSS 600V
閘-源電壓 VGSS ±30V
漏極電流ID 10A
漏-源擊穿電壓BVDSS 600V
閘極閥值電壓VGS(TH) 2~4V
功耗 156W
工作溫度 -55 ~ +150°C
無鉛狀態 RoHS RoHS / Halogen Free
安裝類型 DIP 引腳
封裝/外殼 TO-263
標準包裝數量 3000/REEL 捲軸
10N60 Power MOSFET
10A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION

The UTC 10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.
 
FEATURES
  • RDS(ON) < 0.75Ω@VGS =10V
  • Fast switching
  • 100% avalanche tested
  • Improved dv/dt capability

10N60功率MOSFET
10A、600V N 溝道功率 MOSFET

描述

UTC 10N60 是一款高壓大電流功率 MOSFET,旨在具有更好的特性,例如開關時間快、柵極電荷低、導通電阻低,並具有高度堅固的雪崩特性。 這種功率 MOSFET 通常用於電源、PWM 電機控制、高效 DC 到 DC 轉換器和橋式電路中的高速開關應用。

特徵
  • RDS(ON) < 0.75Ω@VGS =10V
  • 快速切換
  • 100% 雪崩測試
  • 改進的 dv/dt 能力