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| FLYiNG 零件編號 | IC1N65GAA3RUTC |
| FLYiNG 庫存現貨 | 10 |
| 製造商 | UTC |
| 製造商零件編號 | 1N65G-AA3-R |
| 說明 | 1N65G-AA3-R SOT-223 |
| 無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 | RoHS / Halogen Free |
| Power MOSFET | Planar Power MOSFET & DEPLETION-MODE MOSFET |
| 製造商 | UTC |
| 系列 | 1N65G |
| 原廠料號 | 1N65G-AA3-R SOT-223 |
| 漏-源電壓VDSS | 650V |
| 閘-源電壓 VGSS | ±30V |
| 漏極電流ID | 1.2A |
| 漏-源擊穿電壓BVDSS | 650V |
| 閘極閥值電壓VGS(TH) | 2~4V |
| 功耗 | 8W |
| 工作溫度 | -55 ~ +150°C |
| 無鉛狀態 RoHS | RoHS / Halogen Free |
| 安裝類型 | DIP 引腳 |
| 封裝／外殼 | TO-223 |
| 標準包裝數量 | 2500/Reel Tape Reel 捲裝 |
1N65 Power MOSFET
1.2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIPTION
1.2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIPTION
The UTC 1N65 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in the high speed switching applications of power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.
FEATURES
- RDS(ON) <12.5Ω @ VGS=10V, ID=0.6A
- Ultra Low gate charge (typical 5.0nC)
- Low reverse transfer capacitance (CRSS = typical 3.0 pF)
- Fast switching capability
- Avalanche energy specified
- Improved dv/dt capability, high ruggedness
1N65功率MOSFET
1.2A、650V N 溝道功率 MOSFET
描述
UTC 1N65 是一種高壓功率 MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速開關時間、低柵極電荷、低導通電阻和高耐用雪崩特性。 這種功率 MOSFET 通常用於電源、PWM 電機控制、高效 DC 到 DC 轉換器和橋式電路的高速開關應用。
特徵
- RDS(ON) <12.5Ω @ VGS=10V, ID=0.6A
- 超低柵極電荷（典型值為 5.0nC）
- 低反向傳輸電容（CRSS = 典型值 3.0 pF）
- 快速切換能力
- 指定的雪崩能量
- 改進的 dv/dt 能力，高耐用性
