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商品項目:15803
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N Channel Product CEZ07R12 120V 22A P-PAK 5X6
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商品名稱 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
訂購數量
依數量訂價
45 NTD
FLYiNG 零件編號 ICCEZ07R12CET
FLYiNG 庫存現貨 30
製造商 CET
製造商零件編號 CEZ07R12
說明 N Channel Product CEZ07R12 120V P-PAK 5X6
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS
訂購數量 NTD 單價 / PCS
1~9 45
10~99 36
Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
製造商 CET
系列 CEZ07R12
原廠料號 CEZ07R12
漏-源電壓VDS 120V
閘-源電壓 VGS ±20V
漏極電流ID 22A
漏-源擊穿電壓BVDSS 120V
閘極閥值電壓VGS(TH) 2~4V
功耗 104W
工作溫度 -55 to 150 °C
無鉛狀態 RoHS RoHS
安裝類型 SMD 表面黏著式
封裝/外殼 P-PAK 5X6
標準包裝數量 2500/Reel,5000/Box
CEZ07R12
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES
  • 120V, 90A, RDS (ON) = 7 mohm @VGS = 10V.
  • Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
  • High power and current handing capability.
  • RoHS compliant.
  • Surface mount Package.

CEZ07R12
N溝道增強型場效應晶體管

特徵
  • 120V,90A,RDS (ON) = 7 mohm @VGS = 10V。
  • 超高密度電池設計,可實現極低的 RDS(ON)。
  • 高功率和電流處理能力。
  • 符合 RoHS 標準。
  • 表面貼裝封裝。