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商品項目:15803
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N Channel Product CEN2310L 30V 4.8A SOT-23
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商品名稱 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
訂購數量
依數量訂價
8 NTD
FLYiNG 零件編號 ICCEN2310LCET
FLYiNG 庫存現貨 15
製造商 CET
製造商零件編號 CEN2310L
說明 N Channel Product CEN2310L 30V 4.8A SOT-23
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS
訂購數量 NTD 單價 / PCS
1~9 8
10~99 6
Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
製造商 CET
系列 CEN2310L
原廠料號 CEN2310L
漏-源電壓 VDS 30V
閘-源電壓 VGS ±12V
漏極電流 ID 4.8A
漏-源擊穿電壓 BVDSS 30V
閘極閥值電壓 VGS(TH) 0.4~1V
功耗 1.25W
工作溫度 -55°C ~ 150°C
無鉛狀態 RoHS RoHS
安裝類型 SMD 表面黏著式
封裝/外殼 SOT-23-T
標準包裝數量 3000PCS/REEL
重量 9.26mg
CEN2310L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES
  • 30V, 4.8A, RDS(ON) = 34mW @VGS = 10V.
                     RDS(ON) = 40mW @VGS = 4.5V.
                     RDS(ON) = 45mW @VGS = 2.5V.
                     RDS(ON) = 60mW @VGS = 1.8V.
  • High dense cell design for extremely low RDS(ON).
  • Rugged and reliable.
  • SOT-23-T package.
  • RoHS compliant.

CEN2310L N溝道增強型場效應晶體管

特徵
  • 30V、4.8A、RDS(ON) = 34mW @VGS = 10V。
                        RDS(ON) = 40mW @VGS = 4.5V。
                        RDS(ON) = 45mW @VGS = 2.5V。
                        RDS(ON) = 60mW @VGS = 1.8V。
  • 用於極低 RDS(ON) 的高密度電池設計。
  • 堅固可靠。
  • SOT-23-T 封裝。
  • 符合 RoHS 標準。