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商品項目:16005
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TR NPN BD237L-T6S-K TO-126S
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商品名稱 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
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FLYiNG 零件編號 ICBD237LT6SKUTC
FLYiNG 庫存現貨 20
製造商 UTC
製造商零件編號 BD237L-T6S-K
說明 TR NPN BD237L-T6S-K TO-126S
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS
電晶體類型 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
原廠料號 BD237L-T6S-K
集電極-基極電壓VCBO 100V
集電極-發射極電壓VCEO 80V
發射極-基極電壓VEBO 5V
集電極-發射極擊穿電壓BVCBO 100V
集電極功耗 1.25W
工作接面溫度 -65~150°C
RoHS 指令狀態 RoHS
封裝/外殼 TO-126S
BD237 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
80V, NPN TRANSISTORS

DESCRIPTION

The UTC BD237 is an NPN transistor. it uses UTC’s advanced technology to provide customers with high collector-emitter breakdown voltage, etc

FEATURES
  • Complement to UTC BD238 respectively
  • High collector-emitter breakdown voltage

BD237 NPN 外延矽晶體管
80V,NPN晶體管

描述

UTC BD237 是 NPN 晶體管。 採用UTC先進技術,為客戶提供高集電極擊穿電壓等

特徵
  • 分別補充UTC BD238
  • 高集電極-發射極擊穿電壓