| FLYiNG 零件編號 | ICBSS138_R1_00001PJ |
| FLYiNG 散料庫存 | 60 |
| FLYiNG 標準包裝庫存 | 電洽/Contact |
| 製造商/品牌商 | PANJIT |
| 製造商/品牌商零件編號 | BSS138_R1_00001 |
| 說明 | TR BSS138_R1_00001 SOT-23 PANJIT |
| 無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 | RoHS / Halogen Free |
| 散裝數量 | NTD 單價 / PCS |
| 1~9 | 25 |
| 10~99 | 15 |
| 100~2999 | 8 |
| 3000~ | 0.7 |
| Power MOSFET | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 製造商 | PANJIT |
| 系列 | BSS138 |
| 原廠料號 | BSS138_R1_00001 |
| 漏-源電壓VDSS | 50V |
| 閘-源電壓 VGSS | ±20V |
| 漏極電流ID | 300mA |
| 漏-源擊穿電壓BVDSS | 50V |
| 閘極閥值電壓VGS(TH) | 0.8~1.5V |
| 功耗 | 350mW |
| 接面溫度 | -55°C~+150°C |
| 無鉛狀態 RoHS | RoHS / Halogen Free |
| 安裝類型 | SMD 表面黏著式 |
| 封裝／外殼 | SOT-23 |
| 標準包裝數量 | 3000/REEL 捲軸 |
文件:BSS138.png)
BSS138 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
FEATURES
BSS138 50V N 溝道增強模式 MOSFET - ESD 保護
特徵
BSS138 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
FEATURES
- RDS(ON), VGS@10V,IDS@500mA=3Ω
- RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@200mA=4Ω
- RDS(ON), VGS@2.5V,IDS@100mA=6Ω
- Advanced Trench Process Technology
- High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
- Very Low Leakage Current In Off Condition
- Specially Designed for Battery Operated Systems, Solid-State Relays
Drivers : Relays, Displays, Lamps, Solenoids, Memories, etc. - ESD Protected
- Lead free in compliance with EU RoHS 2.0
- Green molding compound as per IEC 61249 standard
- Case: SOT-23 Package
- Terminals: Solderable per MIL-STD-750,Method 2026
- Apporx. Weight: 0.0003 ounce, 0.0084 gram
- Marking: 138
BSS138 50V N 溝道增強模式 MOSFET - ESD 保護
特徵
- RDS(ON), VGS@10V,IDS@500mA=3Ω
- RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@200mA=4Ω
- RDS(ON), VGS@2.5V,IDS@100mA=6Ω
- 先進的溝槽工藝技術
- 超低導通電阻的高密度電池設計
- 關閉條件下的洩漏電流非常低
- 專為電池供電系統、固態繼電器設計
- 驅動器：繼電器、顯示器、燈、螺線管、存儲器等。
- ESD保護
- 無鉛符合歐盟 RoHS 2.0
- 符合 IEC 61249 標準的綠色模塑料
- 案例：SOT-23 封裝
- 端子：根據 MIL-STD-750，方法 2026 可焊接
- 大約。 重量：0.0003 盎司，0.0084 克
- 標記：138
