二極體	SMD 開關二極體 SMD Switching Diodes
製造商	CROWNPO
系列	CD4148WN
原廠料號	CD4148WN
說明	開關二極體 CD4148WN 100V 1206
峰值逆向電壓	100V
最大平均正向電流	300mA
功耗	400mW
逆向復原時間	4MAX ns
工作溫度	-55°C ~ 150°C
封裝／外殼	1206
安裝類型	表面黏著式 SMD
無鉛狀態	RoHS
標準包裝數量	5000/REEL 捲軸

CROWNPO

Switching Diode
CD4148WN

FEATURES
Silicon epitaxial planar diode
SMD chip pattern, available in various dimension included 0805
Leadfree and RoHS compliance components
For AC switching input as rectified circuit and high reverse voltage location

MECHANICAL CHARACTERISTICS
Size:1206
Weight:approx.10mg
Marking:Cathode terminal

開關二極管
CD4148WN

特徵
矽外延平面二極管
SMD貼片模式，可以在不同的層面包括0805
無鉛並符合RoHS標準的組件
對於AC開關輸入作為整流電路和高反向電壓位置

機械特性
尺寸：1206
重量：約為10mg
標記：陰極端子



THERMAL CHARACTERISTICS

Parameter at Tamb=25oC	Symbol	Value	Unit
Forward Power Dissipation Power derating above 25oC	Ptot	400	mW
		3.2	mW/ oC
Junction Temperature	Tj	150	oC
Thermal Resistance Junction to Ambient air	RθJA	375	oC/W
Operating& Storage Temperature range	Tstg	-55 to 150	oC

MAXIMUM RATING

Parameter at Tamb=25oC	Symbol	Value	Unit
Repetitive Peak Reverse Voltage	VRRM	100	V
Average rectified current sin half wave rectification with resistive load	IF(AV)	150	mA
Repetitive Peak Forward Current at Tamb=25°C	IFRM	300	mA
Non-Repetitive Surge Forward Current at t<1s and Tj=25oC at t≦8.3ms and Tj=25oC	IFSM	500	mA
		1000	mA

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter at Tamb=25oC	Symbol	Value	Unit
Forward Voltage at IF=10mA at IF=100mA	VF	1.0 MAX	V
		1.25 MAX	V
Leakage Current at VR=20V Leakage Current at VR=80V	IR	0.025 MAX	uA
		0.5 MAX	uA
Capacitance at VR=0V, f=1MHz	Ctot	4 MAX	pF
Reverse Recovery Time at IF =IR=10mA,RL=100Ω	trr	4 MAX	ns

Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.

TEST CHARACTERISTICS

Test Item	Test Condition	Requirement
Solderability	Sn bath at 245±5oC for 2±0.5s	>95% area tin covered
Resistance to Soldering Heat	Sn bath at 260±5oC for 10±2s	VF,VR & IR within spec; no mechanical damage
Humidity Steady State	At 85oC 85%RH for 168hrs	VF,VR & IR within spec
Continue Forward Operating Life	At 25oC IF =1.1IF for 1000hrs	VF,VR & IR within spec
Thermal Shock	-55 ±5oC/5min to 150±5oC/5min for 10cycles	VF,VR & IR within spec
Bending Strength	Bending up to 2mm for 1cycle	VF,VR & IR within spec; no mechanical damage

DISCLAIMERS
These products are not designed for use in applications where any failure or malfunction may resulted in personal injury,
death or severe property or environmental damage such as medical, military, aircraft, space or life support equipments.
 

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二極體（英語：Diode），是一種具有不對稱電導的雙電極電子元件。

理想的二極體在順向導電時它的兩個電極（陽極和陰極）間擁有無窮小電阻，

而逆向時則有無窮大電阻，即電流只允許由單一方向流過二極體。

1874年，德國物理學家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學院發現了晶體的整流能力。

因此1906年開發出的第一代二極體——「貓鬚二極體」是由方鉛礦等礦物晶體製成的。

早期的二極體還包含了真空管，真空管二極體具有兩個電極 ，

一個陽極和一個熱式陰極。在半導體性能被發現後，二極體成為了世界上第一種半導體器件。

現如今的二極體大多是使用矽來生產，硒或鍺等其它半導體材料有時也會用到。

目前最常見的結構是，一個半導體性能的結晶片通過PN接面連接到兩個電終端。

半導體二極體的電流－電壓特性曲線。

電壓在正的區域稱為順向偏壓。

二極體具有陽極和陰極兩個端子，電流只能往單一方向流動。

也就是說，電流可以從陽極流向陰極，而不能從陰極流向陽極。

對二極體所具備的這種單向特性的應用，通常稱之為「整流」功能。

在真空管內，藉由電極之間加上的電壓能夠讓熱電子從陰極到達陽極，因而有整流的作用。

將交流電轉變為直流電，包括無線電接收器對無線電訊號的調變，都是通過整流來完成的。

因為其順向流通逆向阻斷的特點，二極體可以想成電子版的逆止閥。

然而實際上，二極體並不會表現出如此完美的開關性，

而是呈現出較為複雜的非線性電子特徵——這是由特定類型的二極體技術決定的。

一般來說，只有在順向達到閾值電壓時，二極體才會開始工作（此狀態被稱為順向偏壓）。

一個順向偏壓的二極體兩端的電壓降變化只與電流有一點關係，並且是溫度的函數。

因此這一特性可用於溫度傳感器或參考電壓。

半導體二極體的非線性電流-電壓特性，可以根據選擇不同的半導體材料和摻雜不同的雜質從而形成雜質半導體來改變。

特性改變後的二極體在使用上除了用做開關的方式之外，還有很多其他的功能，

如：用來調節電壓（稽納二極體），限制高電壓從而保護電路（雪崩二極體），無線電調諧（變容二極體），

產生射頻振蕩（隧道二極體、耿氏二極體、IMPATT二極體）以及產生光（發光二極體）。

半導體二極體中，有利用P型和N型兩種半導體接合面的PN接面效應，

也有利用金屬與半導體接合產生的蕭特基效應達到整流作用的類型。

若是PN接面型的二極體，在P型側就是陽極，N型側則是陰極。


開關二極體在正向電壓作用下電阻很小，處於導通狀態，

相當於一隻接通的開關；在反向電壓作用下，電阻很大，處於截止狀態，

如同一隻斷開的開關，利用二極體的開關特性，可以組成各種邏輯電路。