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商品項目:15971
庫存現貨

圖片僅供參考
N Channel Product CEPF640A 200V 19A TO-220
商品名稱 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
訂購數量
依數量訂價
15 NTD
FLYiNG 零件編號 ICCEPF640ACET
FLYiNG 庫存現貨 電洽/Contact
製造商 CET
製造商零件編號 CEPF640A
說明 N Channel Product CEPF640A 200V 19A TO-220
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS
訂購數量 NTD 單價 / PCS
1~9 15
10~99 8
Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
製造商 CET
系列 CEPF640/CEBF640/CEFF640
原廠料號 CEPF640A
漏-源電壓VDS 200V
閘-源電壓 VGS ±10V
漏極電流ID 19A
漏-源擊穿電壓BVDSS 200V
閘極閥值電壓VGS(TH) 2~4V
功耗 125W
工作溫度 -55°C ~ 150°C
無鉛狀態 RoHS RoHS
安裝類型 DIP 引腳
封裝/外殼 TO-220
標準包裝數量 50PCS/TUBE,1000PCS/BOX
文件:CEPF640/CEBF640/CEFF640​
CEPF640A/CEBF640A/CEFF640A
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES
TYPE VDSS RDS(ON) ID @VGS
CEPF640A 200V 150mohm 19A 10V
CEBF640A 200V 150mohm 19A 10V
CEFF640A 200V 150mohm 19A 10V
  • Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
  • High power and current handing capability.
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
  • Halogen Free.

CEPF640A/CEBF640A/CEFF640A
N溝道增強型場效應晶體管


特徵
TYPE VDSS RDS(ON) ID @VGS
CEPF640A 200V 150mohm 19A 10V
CEBF640A 200V 150mohm 19A 10V
CEFF640A 200V 150mohm 19A 10V
  • 超高密度電池設計,可實現極低的 RDS(ON)。
  • 高功率和電流處理能力。
  • 不含鉛鍍層;符合 RoHS 要求。
  • 不含鹵素。