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商品項目:15986
庫存現貨

圖片僅供參考
N Channel Product CEU6362 60V 20.7A TO-252
商品名稱 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
訂購數量
依數量訂價
20 NTD
FLYiNG 零件編號 ICCEU6362CET
FLYiNG 庫存現貨 電洽/Contact
製造商 CET
製造商零件編號 CEU6362
說明 N Channel Product CEU6362 60V 20.7A TO-252
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS
訂購數量 NTD 單價 / PCS
1~9 20
10~99 18
100~999 15
1000~ 10
Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
製造商 CET
系列 CED6362/CEU6362
原廠料號 CEU6362
漏-源電壓VDS 60V
閘-源電壓 VGS ±20V
漏極電流ID 20.7A
漏-源擊穿電壓BVDSS 60V
閘極閥值電壓VGS(TH) 1~2.5V
功耗 34.7W
工作溫度 -55°C ~ 150°C
無鉛狀態 RoHS RoHS
安裝類型 SMD 表面黏著式
封裝／外殼 TO-252(D-PAK)
文件:CED6362/CEU6362
CED6362/CEU6362
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES
  • 60V, 20.7A, RDS(ON) = 45mW @VGS = 10V.
                       RDS(ON) = 52mW @VGS = 4.5V.
  • Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
  • High power and current handing capability.
  • RoHS compliant.
  • TO-251 & TO-252 package.
​
CED6362/CEU6362
N-通道增強模式場效應電晶體

特點
  • 60V，20.7A，RDS(ON) = 45mΩ @VGS = 10V。
                          RDS(ON) = 52mΩ @VGS = 4.5V。
  • 超高密度單元設計，極低 RDS(ON)。
  • 高功率和電流處理能力。
  • 符合 RoHS 標準。
  • TO-251 和 TO-252 封裝。