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商品項目:17002
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TR 2N60L-B-TM3-R TO-251
商品名稱 Planar Power MOSFET & DEPLETION-MODE MOSFET
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NTD
FLYiNG 零件編號 IC2N60LBTM3RUTC
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製造商 UTC
製造商零件編號 2N60L-B-TM3-R
說明 TR 2N60L-B-TM3-R TO-251
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS / Halogen Free
Power MOSFET Planar Power MOSFET & DEPLETION-MODE MOSFET
製造商 UTC
系列 2N60
原廠料號 TR 2N60L-B-TM3-R TO-251
漏-源電壓VDSS 600V
閘-源電壓 VGSS ±30V
漏極電流ID 1.2A
漏-源擊穿電壓BVDSS 600V
閘極閥值電壓VGS(TH) 2~4V
功耗 44W
工作溫度 -55 ~ +150°C
無鉛狀態 RoHS RoHS / Halogen Free
安裝類型 DIP 引腳
封裝/外殼 TO-251
2N60 Power MOSFET
2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION
The UTC 2N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast  switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.

FEATURES
  • RDS(ON) < 5Ω@ VGS = 10V, ID =1A
  • Fast switching capability
  • Avalanche energy specified
  • Improved dv/dt capability, high ruggedness

2N60 功率 MOSFET
2A, 600V N 通道功率 MOSFET

產品描述

UTC 2N60 是一款高電壓功率 MOSFET,具備快速開關時間、低柵極電荷、低導通電阻及高耐用性(Rugged Avalanche)等特性。適用於電源供應、高效 DC-DC 轉換、PWM 馬達控制及橋式電路等高速開關應用。

產品特性

  • 低導通電阻:RDS(ON) < 5Ω(VGS = 10V, ID = 1A)
  • 快速開關能力
  • 具備雪崩能量規格(Avalanche Energy Specified)
  • 優異的 dv/dt 承受能力,高耐用性