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商品項目:17002
庫存現貨

圖片僅供參考
TR NPN BTD1805FP-0-UB-S TO-220FP CYSTEK
商品名稱 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor
訂購數量
依數量訂價
NTD
FLYiNG 零件編號 ICBTD1805FP0UBSCYSTEK
FLYiNG 散料庫存 電洽/Contact
FLYiNG 標準包裝庫存 1,200
製造商 CYSTEK
製造商零件編號 BTD1805FP-0-UB-S
說明 TR NPN BTD1805FP-0-UB-S TO-220FP CYSTEK
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS
標準包裝數量 NTD 單價 / PCS
1000 請電洽
電晶體 Transistor Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor
製造商 CYSTEK
系列 BTD1805FP
原廠料號 BTD1805FP-0-UB-S
集電極-基極電壓 150V
集電極-發射極最大電壓 70V
發射極-基極電壓 7V
集電極電流 5A
功耗 2W
工作溫度 150°C
封裝/外殼 TO-220FP
安裝類型 DIP 引腳
無鉛狀態 RoHS RoHS
文件:BTD1805FP
BTD1805FP
Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

Description
The device is manufactured in NPN planar technology by using a “Base Island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

Features
  • Very low collector-to-emitter saturation voltage
  • Fast switching speed
  • High current gain characteristic
  • Large current capability
  • RoHS compliant package

BTD1805FP
低飽和壓降 NPN 外延平面型電晶體

產品描述

本產品採用 NPN 平面製程技術製造,並採用「基島(Base Island)」結構設計。此設計提供極高的電流增益性能,同時具備極低的集極-射極飽和電壓。

產品特點

  • 極低的集極-射極飽和電壓
  • 高速切換能力
  • 高電流增益特性
  • 大電流處理能力
  • 符合 RoHS 規範封裝