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商品項目:17619
庫存現貨

圖片僅供參考
MOSFET PDD6910 TO-252 POTENS
商品名稱 N-Channel MOSFET
訂購數量
依數量訂價
NTD
FLYiNG 零件編號 ICPDD6910POTENS
FLYiNG 散料庫存 電洽/Contact
FLYiNG 標準包裝庫存 22,500
製造商/品牌商 POTENS
製造商/品牌商零件編號 PDD6910
說明 MOSFET PDD6910 TO-252 POTENS
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS
標準包裝數量 NTD 單價 / PCS
2500 請電洽
Power MOSFET N-Channel MOSFET
製造商 POTENS
系列 PDD6910
原廠料號 PDD6910
漏-源電壓VDS 60V
閘-源電壓 VGSS ±20V
漏極電流ID 16A
漏-源擊穿電壓BVDSS 60V
閘極閥值電壓VGS(TH) 1.2~2.5V
功耗 31W
接面溫度 -50~150°C
無鉛狀態 RoHS RoHS
安裝類型 SMD 表面黏著式
封裝/外殼 TO-252
標準包裝數量 2500/Reel
文件:PDD6910
PDD6910
60V N-Channel MOSFETs
 
BVDSS RDSON ID
60V 50mOhm 16A

General Description​
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency fast switching applications.

Features
  • 60V,16A, RDS(ON) =50mΩ@VGS = 10V
  • Improved dv/dt capability
  • Fast switching
  • 100% EAS Guaranteed
  • Green Device Available
Applications
  • Motor Drive
  • Power Tools
  • LED Lighting

PDD6910
60V N 溝道 MOSFET
 
BVDSS RDSON ID
60V 50mOhm 16A
產品簡介
PDD6910 為 N 沟道增強型功率 MOSFET,採用溝槽式 DMOS 製程技術設計。該先進技術可有效降低導通電阻、提升開關性能,並具備優異的雪崩能量與換向模式耐受能力,非常適合用於高效率與快速開關之電源應用。
 
產品特性
  • 耐壓 60V,連續導通電流達 16A
  • 導通電阻低至 50mΩ(@ V<sub>GS</sub> = 10V)
  • 優化 dv/dt 耐壓能力
  • 高速開關反應
  • 通過 100% 雪崩能量(EAS)測試
  • 符合 RoHS 環保標準,綠色產品
 
應用範圍
  • 馬達驅動控制器
  • 電動工具電源模組
  • LED 照明電源驅動