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商品項目:17688
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N Channel Product CEP140N10 100V 137A TO-220
商品名稱 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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NTD
FLYiNG 零件編號 ICCEP140N10CET
FLYiNG 散料庫存 10
FLYiNG 標準包裝庫存 電洽/Contact
製造商/品牌商 CET
製造商/品牌商零件編號 CEP140N10
說明 N Channel Product CEP140N10 100V 137A TO-220
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS
Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
製造商 CET
系列 CEP140N10/CEB140N10
原廠料號 CEP140N10
漏-源電壓VDS 100V
閘-源電壓 VGS +-10V
漏極電流ID 137A
漏-源擊穿電壓BVDSS 100V
閘極閥值電壓VGS(TH) 2~4V
功耗 208W
工作溫度 -55°C ~ 150°C
無鉛狀態 RoHS RoHS
安裝類型 DIP 引腳
封裝/外殼 TO-220
標準包裝數量 50PCS/TUBE,1000PCS/BOX
文件:CEP140N10/CEB140N10
CEP140N10/CEB140N10
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES
  • 100V, 137A, RDS(ON) = 7.5mΩ @VGS = 10V.
  • Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
  • High power and current handing capability.
  • Lead-free plating ; RoHS compliant.
  • TO-220 & TO-263 package.

CEP140N10 / CEB140N10
N 通道增強型場效電晶體(MOSFET)

產品特性

  • 漏極-源極電壓(V<sub>DSS</sub>):100V
  • 連續導通電流(I<sub>D</sub>):137A
  • 開通電阻(R<sub>DS(ON)</sub>):7.5mΩ @ V<sub>GS</sub> = 10V
  • 採用超高密度單元設計,具超低導通電阻特性
  • 高功率處理與大電流承載能力
  • 無鉛端子電鍍,符合 RoHS 環保規範
  • 封裝型式:TO-220 與 TO-263