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商品項目:17688
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GSM6911PJZF SOT-23 GS
商品名稱 N-Channel MOSFETs
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NTD
FLYiNG 零件編號 ICGSM6911PJZFGS
FLYiNG 散料庫存 10
FLYiNG 標準包裝庫存 電洽/Contact
製造商/品牌商 Globaltech Semi
製造商/品牌商零件編號 GSM6911PJZF
說明 GSM6911PJZF SOT-23 GS
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS
電晶體 Transistor N-Channel MOSFETs
製造商 Globaltech Semi
系列 GSM6911P
原廠料號 GSM6911PJZF
漏-源電壓VDS -60V
閘-源電壓 VGS 20V
漏極電流ID -3.1A
漏-源擊穿電壓BVDSS -60V
閘極閥值電壓VGS(TH) -1.2~-2.5V
功耗 1.56W
封裝/外殼 SOT-23
安裝類型 SMD 表面黏著式
無鉛狀態 RoHS RoHS
標準包裝數量 3000/REEL
文件:GSM6911P
GSM6911P
60V P-Channel MOSFETs

Product Description 
These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.
These devices are well suited for high efficiency fast switching applications.

 
Features
  • -60V, -3.1A, RDS(ON)=190mΩ@VGS=-10V
  • Improved dv/dt capability
  • Fast switching
  • 100% EAS Guaranteed
  • Green Device Available
  • SOT-23 package design
Applications
  • Motor Drive
  • Power Tools
  • LED Lighting

GSM6911P
60V P 通道 MOSFET

產品簡介

本產品為 P 通道增強型功率場效電晶體,採用溝槽式 DMOS 製程技術。此先進製程特別針對降低導通電阻(R<sub>DS(ON)</sub>)、提供優異的開關性能,以及在崩潰與換向模式下承受高能量脈衝的能力進行最佳化設計。
本元件非常適用於高效率、快速切換的應用場合。

產品特性

  • -60V / -3.1A,R<sub>DS(ON)</sub> = 190mΩ(@V<sub>GS</sub> = -10V)
  • 提升 dv/dt 耐受能力
  • 快速切換特性
  • 100% 通過單脈衝雪崩能量(EAS)測試
  • 提供環保(無鉛)版本
  • 採用 SOT-23 封裝設計

應用領域

  • 馬達驅動
  • 電動工具
  • LED 照明