Chat with us, powered by LiveChat
0
商品項目:17154
庫存現貨

圖片僅供參考
RAMXEED 簡介
訂購數量
依數量訂價
NTD
FLYiNG 散料庫存 電洽/Contact
FLYiNG 標準包裝庫存 電洽/Contact

RAMXEED表示以記憶體“RAM”技術為基軸，追求無限可能性，在共創中不斷成長的公司。
“XEED”蘊含著成功的SUCCEED、超越現在的EXCEED的含義，並且“X”還表示無限的可能性和共創。
即使更改了公司名稱，我們也仍將繼續注重以高可靠性和獨特性而深受客戶好評的提案能力。

高性能，高可靠性存儲
RAMXEED目前提供FeRAM（鐵電隨機存取記憶體）和ReRAM（電阻式隨機存取記憶體）的產品系列。兩者都是非易失性記憶體，但二者都有不同的功能，適用於不同的應用場景。
FeRAM的最大優勢是可以保證大量資料的讀寫週期。
由於它可以重寫高達100 萬億次的數據，因此我們的FeRAM適用於頻繁重寫資料的用途。例如，FeRAM記憶體已被採用為記錄儀錶，測量儀器， 工業機器人和汽車資訊的常用記憶體。
另一方面，ReRAM的優勢在接近於無限次的資料讀出次數和極小的讀出電流。
它適用於首先記錄操作所需的基本資訊和程序，並在期間頻繁讀出該資料的用途。此外，通過使用ReRAM記憶體來延長系統的電池供電的小型設備的電池壽命。例如，它是助聽器和智慧手錶等小型可穿戴設備的理想存儲選擇。
通過這些方式，RAMXEED繼續開發能充分發揮終端產品功能的存儲產品，滿足社會的需求。
​

​FeRAM產品系列
RAMXEED的FeRAM產品分為兩個產品系列。一個是一般用途的SOP和TSOP封裝形式的“單體FeRAM記憶體”，另一個是“FeRAM嵌入式LSI器件”，它是特定應用的LSI，如RFID LSI 和身份驗證LSI。
其中，單體記憶體可用來替換現有的EEPROM、Flash Memory、低耗電SRAM，而RFID LSI不僅提供高速無線通訊，而且還具有無線電力傳輸功能， 從而可以構建由FeRAM嵌入式LSI和讀/寫器設備組成的無電池無線解決方案。

FeRAM結構原理
FeRAM是一種使用鐵電元素的存儲器。其存儲單元結構和存儲資料的方法不同於其他傳統的非易失性記憶體器件，如EEPROM和Flash。當然， 存儲數據“1”和“0”的判斷方法也不同。
EEPROM是根據電荷的充電或放電的存儲單元的狀態來判斷“1”或“0”數據。而FeRAM是根據分子中原子運動引起的極化狀態來判斷的。關於FeRAM結構，我們使用PZT（鋯鈦酸鉛）作為鐵電元素。PZT的晶體結構如下所示。
鋯或鈦正離子在晶格中佔據兩個穩定位置，可以通過施加外部電場在位置之間移動。即使去除電場，也可以存儲上極化或下極化。這意味著“極化” 的狀態被記住了。鐵電記憶體利用了這種非易失性的特性。

FeRAM產品

FeRAM概述
FeRAM產品的記憶體密度範圍從4Kbit 到8Mbit。介面具有串列接口（SPI，I2C）和平行介面

8Mbit Quad SPI FeRAM		 記憶體容量 16Kbit to 8Mbit（SPI 介面）/
4Kbit to 1Mbit（I2C 介面）/
256Kbit to 8Mbit（平行介面）
輸入電壓 1.65 to 1.95V ／ 1.7 to 1.95V ／ 1.7 to 3.6V ／
1.8 to 3.6V ／ 2.7 to 3.6V ／ 2.7 to 5.5V ／ 3.0 to 5.5V
工作溫度 -40 to +85°C ／ -40 to +95°C ／ -40 to +105°C ／ -40 to +125°C
讀寫耐久性 1 萬億次/10萬億次/100萬億次

FeRAM功能
FeRAM具有“非易失性”，“高讀寫耐久性”，“高速寫入”和“低功耗”四大優勢。
非易失性
  • 存儲的資料不會在掉電時消失
  • 無需電池即可保留資料
 高速寫入
  • 無需擦除操作即可覆蓋資料
  • 無需發出讀寫命令
  • 無需等待擦除/書寫操作
高讀寫
耐久性
  • 保證100 萬億（1014）次讀/寫週期
  • 是EEPROM 1 億倍的耐久性
 低功耗
  • 無需寫入操作的升壓電路
  • 寫入時間短，寫入時功耗更低
  • 資料保持時無需電流

FeRAM與其它傳統記憶體的比較
 
項目 FeRAM EEPROM FLASH
Memory		 SRAM
記憶類型 非易失性 非易失性 非易失性 易失性
資料寫入方法 覆蓋式寫入 擦除+寫入 擦除+寫入 覆蓋式寫入
資料寫入週期時間 120ns 5ms 10μs 55ns
讀寫耐久性 100 萬億次 100 萬次 10 萬次 無限次
電荷泵電路 無需 需要 需要 無需
資料保護後備電池 無需 無需 無需 需要

串口記憶體陣容

SPI接口
 
記憶體容量
(bit)		 產品型號 等級 輸入電壓
(V)		 工作頻率
(Hz)		 工作溫度
(°C)		 讀寫耐久性
（讀寫次數）		 資料保持時間
（保證値)		 封裝類別
8M MB85RQ8MX 工業用 2.7 to 3.6 108M -40 to +105 100萬億次 10年（+105°C） SOP-16
MB85RQ8MLX 工業用 1.7 to 1.95 108M -40 to +105 100萬億次 10年（+105°C） SOP-16
4M MB85RS4MTY 車載用/工業用 1.8 to 3.6 50M -40 to +125 100萬億次 70.4年（+85°C） DFN-8/SOP-8
MB85RS4MLY 車載用/工業用 1.7 to 1.95 50M -40 to +125 100萬億次 70.4年（+85°C） DFN-8/SOP-8
MB85RS4MT 工業用 1.8 to 3.6 40M -40 to +85 100萬億次 10年（+85°C） SOP-8
MB85RQ4ML 工業用 1.7 to 1.95 108M -40 to +85 10萬億次 10年（+85°C） SOP-8
2M MB85RS2MTY 車載用/工業用 1.8 to 3.6 50M -40 to +125 100萬億次 70.4年（+85°C） DFN-8/SOP-8
MB85RS2MLY 車載用/工業用 1.7 to 1.95 50M -40 to +125 100萬億次 70.4年（+85°C） DFN-8/SOP-8
MB85RS2MTA 工業用 1.7 to 3.6 40M -40 to +85 100萬億次 10年（+85°C） SOP-8
1M MS85RS1MTY 車載用/工業用 1.8 to 3.6 50M -40 to +125 100萬億次 70.4年（+85°C） DFN-8/SOP-8
MS85RS1MLY 車載用/工業用 1.7 to 1.95 50M -40 to +125 100萬億次 70.4年（+85°C） DFN-8/SOP-8
MB85RS1MT 工業用 1.8 to 3.6 30M -40 to +85 10萬億次 10年（+85°C） SOP-8/DFN-8/
WL-CSP-8
512K MB85RS512TY 車載用/工業用 1.8 to 3.6 50M -40 to +125 100萬億次 70.4年（+85°C） DFN-8/SOP-8
MB85RS512LY 車載用/工業用 1.7 to 1.95 50M -40 to +125 100萬億次 70.4年（+85°C） DFN-8/SOP-8
MB85RS512T 工業用 1.8 to 3.6 30M -40 to +85 10萬億次 10年（+85°C） SOP-8
256K MB85RS256TYA 車載用/工業用 1.8 to 3.6 50M -40 to +125 100萬億次 70.4年（+85°C） DFN-8/SOP-8
MB85RS256LYA 車載用/工業用 1.7 to 1.95 50M -40 to +125 100萬億次 70.4年（+85°C） DFN-8/SOP-8
MB85RS256TY 車載用/工業用 1.8 to 3.6 40M -40 to +125 10萬億次 70.4年（+85°C） SOP-8
MB85RS256B 工業用 2.7 to 3.6 33M -40 to +85 1萬億次 10年（+85°C） SOP-8
128K MB85RS128TY 車載用/工業用 1.8 to 3.6 40M -40 to +125 10萬億次 70.4年（+85°C） SOP-8
MB85RS128B 工業用 2.7 to 3.6 33M -40 to +85 1萬億次 10年（+85°C） SOP-8
64K MB85RS64VY 車載用/工業用 2.7 to 5.5 33M -40 to +125 10萬億次 70.4年（+85°C） SOP-8
MB85RS64V 工業用 3.0 to 5.5 20M -40 to +85 1萬億次 10年（+85°C） SOP-8
MB85RS64T 工業用 1.8 to 3.6 10M -40 to +85 10萬億次 40.2年（+85°C） SOP-8/SON-8
MB85RS64 工業用 2.7 to 3.6 20M -40 to +85 1萬億次 10年（+85°C） SOP-8
16K MB85RS16N 工業用 2.7 to 3.6 20M -40 to +95 1萬億次 10年（+95°C） SOP-8/SON-8
MB85RD16LX 工業用 1.65 to 1.95 15M -40 to +125 10萬億次 23.7年（+105°C） SOP-8

I²C接口
 
記憶體容量
(bit)		 產品型號 等級 輸入電壓
(V)		 工作頻率
(Hz)		 工作溫度
(°C)		 讀寫耐久性
（讀寫次數）		 資料保持時間
（保證値）		 封裝類別
1M MS85RC1MTY 車載用/工業用 1.8 to 3.6 3.4M -40 to +125 100萬億次 70.4 年（+85°C） DFN-8/SOP-8
MS85RC1MLY 車載用/工業用 1.7 to 1.95 3.4M -40 to +125 100萬億次 70.4 年（+85°C） DFN-8/SOP-8
MB85RC1MT 工業用 1.8 to 3.6 3.4M -40 to +85 10萬億次 10 年（+85°C） SOP-8
512K MB85RC512TY 車載用/工業用 1.8 to 3.6 3.4M -40 to +125 100萬億次 70.4 年（+85°C） DFN-8/SOP-8
MB85RC512LY 車載用/工業用 1.7 to 1.95 3.4M -40 to +125 100萬億次 70.4 年（+85°C） DFN-8/SOP-8
MB85RC512T 工業用 1.7 to 3.6 3.4M -40 to +85 10萬億次 10 年（+85°C） SOP-8
256K MB85RC256TY 車載用/工業用 1.8 to 3.6 3.4M -40 to +125 100萬億次 70.4 年（+85°C） DFN-8/SOP-8
MB85RC256LY 車載用/工業用 1.7 to 1.95 3.4M -40 to +125 100萬億次 70.4 年（+85°C） DFN-8/SOP-8
MB85RC256V 工業用 2.7 to 5.5 1M  -40 to +85 1 萬億次 10 年（+85°C） SOP-8
MB85RC256VN 工業用 2.7 to 5.5 1M  -40 to +95 1 萬億次 10 年（+95°C） SOP-8
128K MB85RC128A 工業用 2.7 to 3.6 1M  -40 to +85 1 萬億次 10 年（+85°C） SOP-8
64K MB85RC64TA 工業用 1.8 to 3.6 3.4M -40 to +105 10萬億次 19.1 年（+105°C） SOP-8/SON-8
MB85RC64A 工業用 2.7 to 3.6 1M  -40 to +85 1 萬億次 10 年（+85°C） SOP-8
MB85RC64V 工業用 3.0 to 5.5 1M  -40 to +85 1 萬億次 10 年（+85°C） SOP-8
16K MB85RC16 工業用 2.7 to 3.6 1M  -40 to +85 1 萬億次 10 年（+85°C） SOP-8/SON-8
MB85RC16V 工業用 3.0 to 5.5 1M  -40 to +85 1 萬億次 10 年（+85°C） SOP-8
4K MB85RC04 工業用 2.7 to 3.6 1M  -40 to +85 1 萬億次 10 年（+85°C） SOP-8
MB85RC04V 工業用 3.0 to 5.5 1M  -40 to +85 1 萬億次 10 年（+85°C） SOP-8

並行接口
 
記憶體容量
(bit)		 產品型號 等級 輸入電壓
(V)		 寫入週期
時間
(ns)		 工作溫度
(°C)		 讀寫耐久性
(讀寫次數)		 資料保持時間
(保證値)		  封裝類別 
8M
(1M×8)		 MB85R8M1TA 工業用 1.8 to 3.6 120 -40 to +85 100 萬億次 10 年（+85°C） TSOP-44/FBGA-48
8M
(512K×16)		 MB85R8M2TA 工業用 1.8 to 3.6 120 -40 to +85 100 萬億次 10 年（+85°C） TSOP-44/FBGA-48
4M
(512K×8)		 MS85R4M1TA 工業用 1.8 to 3.6 120 -40 to +105 100 萬億次 10 年（+105°C） TSOP-44/FBGA-48
4M
(256K×16)		 MS85R4M2TA 工業用 1.8 to 3.6 120 -40 to +105 100 萬億次 10 年（+105°C） TSOP-44/FBGA-48
MB85R4M2T 工業用 1.8 to 3.6 150 -40 to +85 10 萬億次 10 年（+85°C） TSOP-44
256K
(32K×8)		 MB85R256F 工業用 2.7 to 3.6 150 -40 to +85 1 萬億次 10 年（+85°C） TSOP-28

ReRAM產品

ReRAM概述
ReRAM產品的記憶體密度陣容為8Mbit 和12Mbit。介面是SPI 介面。
 

12Mbit ReRAM		 記憶體容量 8Mbit,12Mbit（SPI介面）
輸入電壓 1.6 to 3.6V
工作溫度 -40 to +85°C
讀出耐久性 無限
寫入耐久性 100萬次（8Mbit）,50萬次（12Mbit）
封裝類別 11pin WL-CSP

ReRAM功能, 結構原理
ReRAM代表電阻式隨機存取記憶體，具有四個卓越的特性：非易失性，讀出低電流，大密度和小型封裝。特別是在5MHz 的工作頻率下，平均讀出電流小至0.15mA，因此與其他非易失性記憶體產品相比，它具有極小的讀出電流水準。它可以延長那些使用電池最終產品的電池壽命。RAMXEED的ReRAM產品采用2mm x 3mm的極小封裝，非常適合用於可穿戴設備。
電阻式隨機存取記憶體的ReRAM是一種非易失性存儲器，通過改變電池材料中的電阻來存儲數據。它通過向金屬氧化物薄膜施加脈衝電壓產生的電阻的巨大變化來記錄“1”或“0”的數據。
 
非易失性
  • 掉電時存儲的資料不會消失
  • 無需電池即可保留資料
 記憶度
密度
  • 12Mbi t的大密度作為非易失性隨機存取記憶體
讀取電
流小
  • 5MHz工作時平均讀取電流為0.15mA
  • 10MHz工作時最大讀取電流為0.7mA
 極小封裝
  • 11pin WL-CSP, 2mm x 3mm



ReRAM陣容
SPI介面
記憶體容量
(bit)		 產品型號 輸入電壓
(V)		 工作頻率
(Hz)		 工作溫度
(°C)		 讀取電流 讀寫耐久性
（讀寫次數）		 寫入耐久性
（寫入次數）		 封裝類別
8M
 MB85AS12MT 1.6 to 3.6 10M -40 to +85 Max0.7mA 無限 50 萬次 WL-CSP-11
MB85AS8MT 1.6 to 3.6 10M -40 to +85 Max0.7mA 無限 100 萬次 WL-CSP-11

Ramxeed簡介