Chat with us, powered by LiveChat
商品項目:17688
庫存現貨

圖片僅供參考
P Channel CED6185 60V 36A TO-251
商品名稱 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
訂購數量
依數量訂價
20 NTD
FLYiNG 零件編號 ICCED6185CET
FLYiNG 散料庫存 10
FLYiNG 標準包裝庫存 電洽/Contact
製造商/品牌商 CET
製造商/品牌商零件編號 CED6185
說明 P Channel CED6185 60V 36A TO-251
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS
散裝數量 NTD 單價 / PCS
1~9 20
10~99 15
Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
製造商 CET
系列 CED6185/CEU6185
原廠料號 CED6185
漏-源電壓VDS -60V
閘-源電壓 VGS ±20V
漏極電流ID -36A
漏-源擊穿電壓BVDSS -60V
閘極閥值電壓VGS(TH) -1~-3V
功耗 48W
工作溫度 -55°C ~ 150°C
無鉛狀態 RoHS RoHS
安裝類型 SMD 表面黏著式
封裝/外殼 TO-251(D-PAK)
文件:CED6185/CEU6185
CED6185/CEU6185
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES
  • -60V, -36A, RDS(ON) = 20mW @VGS = -10V.
                             RDS(ON) = 26mW @VGS = -4.5V.
  • Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
  • High power and current handing capability.
  • RoHS compliant.
  • TO-251 & TO-252 package.

CED6185 / CEU6185
P-通道增強型場效電晶體(MOSFET)

產品特性
  • 耐壓:-60V
  • 連續電流:-36A
  • 導通電阻 R<sub>DS(ON)</sub>:
    • 20mΩ(V<sub>GS</sub> = -10V)
    • 26mΩ(V<sub>GS</sub> = -4.5V)
  • 採用高密度單元設計,具備極低導通電阻
  • 支援高功率與大電流處理能力
  • 符合 RoHS 環保指令
  • 提供 TO-251 與 TO-252 封裝形式,適用於多樣化的電源應用 ​