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商品項目:17688
庫存現貨

圖片僅供參考
N Channel Product CEP10N6 600V TO-220
商品名稱 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
訂購數量
依數量訂價
20 NTD
FLYiNG 零件編號 ICCEP10N6CET
FLYiNG 散料庫存 5
FLYiNG 標準包裝庫存 電洽/Contact
製造商/品牌商 CET
製造商/品牌商零件編號 CEP10N6
說明 N Channel Product CEP10N6 600V TO-220
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS
散裝數量 NTD 單價 / PCS
1~9 20
Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
製造商 CET
系列 CEP10N6/CEB10N6/CEF10N6
原廠料號 CEP10N6
漏-源電壓VDSS 600V
閘-源電壓 VGSS ±30V
漏極電流ID 10A
漏-源擊穿電壓BVDSS 600V
閘極閥值電壓VGS(TH) 2~4V
功耗 50W
工作溫度 -55°C ~ 175°C
無鉛狀態 RoHS RoHS
安裝類型 DIP 引腳
封裝/外殼 TO-220
標準包裝數量 50PCS/TUBE,1000PCS/BOX
文件:CEP10N6/CEB10N6/CEF10N6
CEP10N6/CEB10N6/CEF10N6
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES
Type VDSS RDS(ON) ID @VGS
CEP10N6 600V 0.75Ω 10A 10V
CEB10N6 600V 0.75Ω 10A 10V
CEF10N6 600V 0.75Ω 10A 10V
  • Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
  • High power and current handing capability.
  • Lead free product is acquired.

CEP10N6/CEB10N6/CEF10N6
N-通道增強型場效電晶體(MOSFET)

FEATURES
Type VDSS RDS(ON) ID @VGS
CEP10N6 600V 0.75Ω 10A 10V
CEB10N6 600V 0.75Ω 10A 10V
CEF10N6 600V 0.75Ω 10A 10V
  • 採用高密度單元設計,實現極低導通電阻(R<sub>DS(ON)</sub>)
  • 優異的功率與電流處理能力
  • 符合環保要求,無鉛製程