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商品項目:17644
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MOSFET NCE0157A2 TO-220 NCE
商品名稱 N-Channel MOSFET
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FLYiNG 零件編號 ICNCE0157A2NCE
FLYiNG 散料庫存 2
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製造商/品牌商 NCE
製造商/品牌商零件編號 NCE0157A2
說明 MOSFET NCE0157A2 TO-220 NCE
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS
Power MOSFET N-Channel MOSFET
製造商 NCE
系列 NCE0157A2
原廠料號 NCE0157A2
漏-源電壓VDSS 100V
閘-源電壓 VGSS ±20V
漏極電流ID 57A
漏-源擊穿電壓BVDSS 110V
閘極閥值電壓VGS(TH) 2~4V
功耗 160W
接面溫度 -55~+175°C
無鉛狀態 RoHS RoHS
安裝類型 DIP 引腳
封裝/外殼 TO-220
文件:NCE0157A2
NCE0157A2
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description
The NCE0157A2 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

General Features
  • VDS = 100V,ID =57A
    RDS(ON) < 17mΩ @ VGS=10V (Typ:14mΩ)
  • Special process technology for high ESD capability
  • High density cell design for ultra low Rdson
  • Fully characterized avalanche voltage and current
  • Good stability and uniformity with high EAS
  • Excellent package for good heat dissipation
Application
  • Power switching application
  • Hard switched and high frequency circuits
  • Uninterruptible power supply

NCE0157A2
N 溝道增強型功率 MOSFET

產品描述

NCE0157A2 採用先進溝槽式製程與設計,提供極佳的導通電阻 (RDS(ON)) 以及低柵極電荷特性。適用於多種電源與開關應用。

一般特性

  • 漏極-源極電壓 (VDS) = 100V,連續漏極電流 (ID) = 57A
  • 導通電阻 RDS(ON) < 17mΩ @ VGS=10V (典型值:14mΩ)
  • 特殊製程技術,具高 ESD 抗性
  • 高密度單元設計,實現超低導通電阻
  • 完整規格之雪崩電壓與電流特性
  • 高 EAS,具良好穩定性與一致性
  • 優良封裝設計,具良好散熱性能

應用範圍

  • 電源切換應用
  • 硬切換與高頻電路
  • 不斷電系統 (UPS)