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商品項目:17810
庫存現貨

圖片僅供參考
GSM1362XF DFN5X6-8L GS
商品名稱 N-Channel MOSFET
訂購數量
依數量訂價
NTD
FLYiNG 零件編號 ICGSM1362XFGS
FLYiNG 散料庫存 25
FLYiNG 標準包裝庫存 電洽/Contact
製造商/品牌商 Globaltech Semi
製造商/品牌商零件編號 GSM1362XF
說明 GSM1362XF DFN5X6-8L GS
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS
標準包裝數量 NTD 單價 / PCS
3000 請電洽
電晶體 Transistor N-Channel MOSFET
製造商 Globaltech Semi
系列 GSM1362XF
原廠料號 GSM1362XF
汲極至源極電壓 VDSS 100V
Vgs ±20V
驅動電壓 (最大值 Rds On、最小值 Rds On) 4.5V、10V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C 102A
Rds On (最大值) @ Id、Vgs 6.4mOhm @ 40A 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id 2.5V @ 250uA
閘極電荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 54nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2340pF @ 50V
功耗 125W @ 25°C,50W @ 100°C
工作溫度 -55 to +150°C
核准人/時間 --
封裝／外殼 DFN5X6-8L
安裝類型 SMD 表面黏著式
無鉛狀態 RoHS RoHS
標準包裝數量 3000/REEL
文件:GSM1362XF
GSM1362XF
100V N-Channel MOSFET

Product Description 

The N-Channel enhancement mode power field effect transistor is using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.
The device is well suited for high efficiency fast switching applications.
Features
  • RDS(ON) = 6.4mΩ @ VGS=10V
  • RDS(ON) = 8.8mΩ @ VGS=4.5V
  • DFN5X6-8L Package
  • RoHS Compliant and Halogen Free
Applications
  • MB / VGA / Vcore
  • POL Applications
  • SMPS

GSM1362XF
100V N 通道 MOSFET

產品說明

此 N 通道增強型功率場效電晶體採用 Trench DMOS 技術。該先進技術專為降低導通電阻而設計，並提供優異的切換效能，同時可承受在崩潰與換流模式下的高能量脈衝。
本元件非常適合高效率、高速切換的應用。

特點

  • RDS(ON) = 6.4 mΩ（VGS = 10V）
  • RDS(ON) = 8.8 mΩ（VGS = 4.5V）
  • DFN 5 × 6、8 腳封裝
  • 符合 RoHS 且無鹵素

應用

  • 主機板／顯示卡／Vcore
  • POL 應用
  • 開關式電源供應器