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商品項目:17810
庫存現貨

圖片僅供參考
PNP MMBT5401-TH-Q SOT-23 QUALITY
商品名稱 NPN TRANSISTOR
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依數量訂價
NTD
FLYiNG 零件編號 ICMMBT5401THQQUALITY
FLYiNG 散料庫存 30
FLYiNG 標準包裝庫存 電洽/Contact
製造商/品牌商 QUALITY
製造商/品牌商零件編號 MMBT5401-TH-Q
說明 PNP MMBT5401-TH-Q SOT-23 QUALITY
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS
標準包裝數量 NTD 單價 / PCS
3000 請電洽
Power MOSFET NPN TRANSISTOR
製造商 QUALITY
系列 MMBT5401
原廠料號 MMBT5401-TH-Q
集極-基極電壓 40V
集極電流IC 1.5A
集極射極崩潰電壓 (最大值) 40V
Vce 飽和 (最大值) @ Ic、IB 0.5V @800mA 80mA
DC 電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce 400@1V 800mA
功耗 0.3W
接面溫度 150°C
無鉛狀態 RoHS RoHS
安裝類型 SMD表面黏著式
封裝/外殼 SOT-23
Marking Code Y1
標準包裝數量 3000/Reel
文件:MMBT5401​
MMBT5401
PNP Plastic-Encapsulate Transistor
 
​VCEO  -150V
IC -600mA
VCE(sat)  -0.5V
hFE 100~300
TJ,Max 150°C

FEATURES 
  • Complementary to MMBT5551
  • Ideal for Medium Power Amplification and Switching
MECHANICAL DATA
  • Case:Molded plastic,SOT-23
  • Polarity:Shown above
  • Terminals :Plated terminals, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
  • Epoxy : UL94-V0 rated flame retardant

MMBT5401
PNP 塑膠封裝電晶體

特點

  • 與 MMBT5551 互補
  • 適用於中功率放大與切換應用

機械資料

  • 外殼:模封塑膠,SOT-23
  • 極性:如上圖所示
  • 端子:鍍層端子,符合 MIL-STD-750,方法 2026 的可焊性規範
  • 封裝樹脂:UL94-V0 阻燃等級