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Semitec-定電流二極體 CRD Series Q&A
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#Semitec #CRD #定電流二極體 #Semitec產品介紹

CRD 定電流二極體 Q&A
 

Q1. 是否可以透過將 CRD(定電流二極體)並聯來提高電流值?
A1. 每個 CRD 可視為一個電流源,因此可以將多個電流源並聯使用。


當進行並聯時,無論是相同或不同電流值的組合,其總電流為各個電流值的加總。

圖 1. CRD 並聯連接範例 (1)

此外,CRD 並聯的數量並沒有明確限制。舉例來說,若將五顆 18 mA 的產品並聯,可得到 90 mA 的較大電流。不同的並聯組合亦可應用於各種電路配置中。

圖 2. CRD 並聯連接範例 (2)
 

Q2. 是否可以透過將 CRD 串聯來提高最大工作電壓?
A2.在對 CRD 進行過電壓保護的前提下,是可以進行串聯連接的。


由於每個 CRD 可視為電流源,一般而言電流源之間不建議串聯,但透過以下方法可實現串聯應用。
若僅單純將 CRD 串聯,電壓會集中在電流值較低的一側,導致超過最大工作電壓的問題。
因此,必須設計保護機制,確保 CRD 不會超出其最大工作電壓。如下圖所示,可在 CRD 兩端並聯一顆齊納二極體(Zener Diode),用於保護 CRD
避免過電壓。此時,CRD 應選用相同電流值的產品。

​圖 3. CRD 串聯連接範例​

​對於所使用的齊納二極體,其崩潰電壓(Breakdown Voltage)需選擇不超過 CRD 的最大工作電壓。對應關係如表 1 所示。


表 1:CRD 串聯時齊納二極體對應表

Characteristics E series S series
Maximum
working voltage
Zener voltage Maximum
working voltage
Zener voltage
101~562 100 91 100 91
822 30 27 50 47
103 30 27 50 47
123 30 27 50 47
153 25 22 50 47
183 25 22 40 36

圖 4. CRD 串聯電路範例

透過將 CRD 串聯,可在 85 VAC 至 220 VAC 的寬電壓範圍內,對負載提供定電流。
然而,此電路的效率並不高,因為大部分電壓會由 CRD 承受。
​因此,此類電路較適用於小電流應用。


Q3. 是否可以透過將 CRD 串聯來實現雙向定電流?
A3.透過將 CRD 以陰極對陰極(反向串聯)的方式連接,可實現雙向定電流特性。


此方式可應用於需要雙向定電流的場合,或在異常狀況下發生反向電流時進行限流等應用。
 
圖 5. CRD 雙向連接範例 (1)

此外,也可以如以下圖示所示,設定為不對稱(不平衡)的電流值配置。

圖 6. CRD 雙向連接範例 (2)

例如,在電池充電電流與放電電流限制電路中,可透過改變並聯數量,分別設定充電電流與放電電流。

Q4. CRD 具有動態特性與靜態特性兩種,其差異為何?

A4.靜態特性(Static Characteristic)是指以脈衝方式(脈衝寬度:20 ms)測得的 CRD 電流-電壓特性;動態特性(Dynamic Characteristic)則是在 CRD 持續通以直流電時所測得的特性。

在動態特性下,由於自我發熱(Self-heating)影響,隨著施加電壓增加,電流值會有下降的趨勢。
如下圖所示,在靜態特性中,即使施加電壓自 10 V 起變化,電流仍能維持在近似恆定的數值。
而短脈衝時間所測得的特性,是在通電產生的熱效應可忽略的條件下所取得的數據。

圖 1. CRD S 系列靜態特性曲線


動態特性(Dynamic Characteristic)是指在持續施加直流電(DC)時的電流-電壓特性。
此特性反映了 CRD 在通電後因自我發熱並達到熱平衡(熱飽和)時的電流表現。
與靜態特性相比,動態特性會隨著施加電壓增加而呈現電流下降的趨勢。由於 CRD 上的電壓 V 與電流 I 所產生的功率 P = V × I 會轉換為熱能,當產生的熱量相對於 CRD 的熱阻較小時,溫度上升不明顯;但當 CRD 使用功率達到 100 mW 以上時,自我發熱造成的溫升影響就不可忽略。
此現象在大電流 CRD 中更為明顯;相對地,小電流產品幾乎不受自我發熱影響,能維持良好的定電流特性。


圖 2. CRD S 系列動態特性曲線

 

 

Q5. 是否有方法可以改善 CRD 動態特性的定電流特性?
A5.可透過在 CRD 並聯一個自我發熱補償電阻(Self-heating Compensating Resistor)來改善其定電流特性。


CRD 的動態特性會因自我發熱,使得隨著施加電壓增加,電流值下降;但透過在 CRD 並聯電阻,可對此電流下降進行補償。


圖 7. 自我發熱補償電阻並聯連接


表 2 顯示 CRD S 系列與 E 系列的補償電阻對應值。
(1) S series (500mW)

Type name S-102 S-152 S-202 S-272 S-352 S-452 S-562 S-822 S-103 S-123 S-153 S-183
Resistance value 1.1MΩ 430kΩ 300kΩ 200kΩ 130kΩ 91kΩ 62kΩ 27kΩ 18kΩ 15kΩ 12kΩ 9.1kΩ

(2) E series (300mW)
 
Type name E-102 E-152 E-202 E-272 E-352 E-452 E-562 E-822 E-103 E-123 E-153 E-183
Resistance value 1MΩ 390kΩ 240kΩ 120kΩ 82kΩ 56kΩ 39kΩ 20kΩ 15kΩ 11kΩ 9.1kΩ 7.5kΩ

箝位電流(Pinch-off Current)在 1 mA 以上的定電流二極體(CRD),其電流具有負溫度係數(Negative Temperature Coefficient),會因自我發熱而導致電流值下降。
透過使用補償電阻,可抑制電流下降,進而獲得較佳的定電流特性。
圖 3 與圖 4 顯示加入自我發熱補償電阻後的動態特性。
由於最佳補償電阻的選擇會受到實際安裝條件的熱阻影響,建議在實際應用環境中透過調整電阻值進行實驗,以確定最適合的補償電阻。

 
圖 3. CRD S 系列補償後動態特性曲線 圖 4. CRD E 系列補償後動態特性曲線