圖片僅供參考
FLYiNG 零件編號 | LEDBLB2141AT |
FLYiNG 庫存現貨 | 15 |
製造商 | BRIGHT |
製造商零件編號 | BL-B2141-AT |
說明 | LED 3mm 色霧 綠光 |
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 | RoHS |
訂購數量 | NTD 單價 / PCS |
1~9 | 5 |
10~99 | 3 |
100~999 | 1.8 |
1000~ | 0.9 |
標準包裝數量 | 1000/Bag 散裝 |
BL-B2141-AT
Features
Applications
BL-B2141-AT
特徵
應用
LED 發光二極體
LED原理-發光二極體(Light Emitting Diode, LED)在1950年代末於實驗室發展出來,
1968年HP開始商業化量產,早期只有單調的暗紅色電子產品指示燈,
1992年Nichia突破藍光LED技術障礙後,逐漸衍生出多重色彩,亮度也大幅提高,
並以顯示器(Display)、表面黏著型(SMD等各種封裝型態深入生活中各個層面。
LED是利用電能直接轉化為光能的原理,在半導體內正負極2個端子施加電壓,
當電流通過,使電子與電洞相結合時,剩餘能量便以光的形式釋放,依其使用的材料的不同,
其能階高低使光子能量產生不同波長的光,人眼所能接受到各種顏色的光,
其波長介於400-780nm,在此區間之外則為不可見光,包括紅外光及紫外光(UV)。
多數LED被稱為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體,是由Ⅴ族元素(氮N、磷P、砷As等)
與Ⅲ族元素(鋁Al、鎵Ga、銦In等)結合而成,以與IC半導體所使用之矽(Si)等Ⅳ族元素區別。
傳統液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy, LPE)
與氣相磊晶法 (Vapor Phase Epitaxy, VPE),以磷化鎵(GaP)或砷化鎵(GaAs)為基板,
用於生產中低亮度LED及紅外光IrDa晶粒,其亮度在1燭光(1000mcd)以下。
有機金屬氣相磊晶法(Metal Organic Vapor Epitaxy, MOCVD)用於生產高亮度LED,
其亮度約在6000-8000mcd。
以AlGaInP四種元素為發光層材料在砷化鎵基板上磊晶者,
發出紅、橙、黃光之琥珀色系,通稱為四元LED;以GaN為材料所生產的藍、綠光LED,
則稱為氮化物LED,一般以藍寶石(Sapphire)為基板,美國大廠CREE則發展出以碳化矽(SiC)為基板的製程。
Features
- Chip material: GaP/GaP
- Emitted color : Green
- Lens Appearance : Green Diffused
- Low power consumption.
- High efficiency.
- Versatile mounting on P.C. Board or panel.
- Low current requirement.
- 3mm diameter package.
- This product don’t contained restriction substance, compliance RoHS standard.
Applications
- TV set
- Monitor
- Telephone
- Computer
- Circuit board
BL-B2141-AT
特徵
- 芯片材料:GaP / GaP
- 發射顏色:綠色
- 鏡片外觀:綠色漫射
- 功耗低。
- 高效率。
- P.C.的多功能安裝 董事會或小組。
- 低電流要求。
- 直徑3mm的包裝。
- 本產品不含限制物質,符合RoHS標準。
應用
- 電視機
- 監控
- 電話
- 電腦
- 電路板
LED 發光二極體
LED原理-發光二極體(Light Emitting Diode, LED)在1950年代末於實驗室發展出來,
1968年HP開始商業化量產,早期只有單調的暗紅色電子產品指示燈,
1992年Nichia突破藍光LED技術障礙後,逐漸衍生出多重色彩,亮度也大幅提高,
並以顯示器(Display)、表面黏著型(SMD等各種封裝型態深入生活中各個層面。
LED是利用電能直接轉化為光能的原理,在半導體內正負極2個端子施加電壓,
當電流通過,使電子與電洞相結合時,剩餘能量便以光的形式釋放,依其使用的材料的不同,
其能階高低使光子能量產生不同波長的光,人眼所能接受到各種顏色的光,
其波長介於400-780nm,在此區間之外則為不可見光,包括紅外光及紫外光(UV)。
多數LED被稱為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體,是由Ⅴ族元素(氮N、磷P、砷As等)
與Ⅲ族元素(鋁Al、鎵Ga、銦In等)結合而成,以與IC半導體所使用之矽(Si)等Ⅳ族元素區別。
傳統液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy, LPE)
與氣相磊晶法 (Vapor Phase Epitaxy, VPE),以磷化鎵(GaP)或砷化鎵(GaAs)為基板,
用於生產中低亮度LED及紅外光IrDa晶粒,其亮度在1燭光(1000mcd)以下。
有機金屬氣相磊晶法(Metal Organic Vapor Epitaxy, MOCVD)用於生產高亮度LED,
其亮度約在6000-8000mcd。
以AlGaInP四種元素為發光層材料在砷化鎵基板上磊晶者,
發出紅、橙、黃光之琥珀色系,通稱為四元LED;以GaN為材料所生產的藍、綠光LED,
則稱為氮化物LED,一般以藍寶石(Sapphire)為基板,美國大廠CREE則發展出以碳化矽(SiC)為基板的製程。