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- 0402 5% 1/10W
- 0603 0.1% 1/10W
- 0603 0.5% 1/10W
- 0603 1% 1/10W
- 0603 5% 1/10W
- 0805 0.1% 1/4W
- 0805 0.1% 1/8W
- 0805 0.5% 1/8W
- 0805 1% 1/8W
- 0805 5% 1/8W
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- 1206 1% 1/4W
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- 1206 1% 1W
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- 1206 5% 1/2W
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- 1210 5% 1/2W
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- 2010 1% 3/4W
- 2010 1% 1/2W
- 2010 1% 1W
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- 排針 P:2.54mm
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- 勾勾牛角
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- P:2.5mm 180度 不打K腳 系列
- P:2.5mm 180度 K腳 系列
- P:2.5mm 90度 K腳 系列
- P:2.54mm 單排 DIP 90度
- P:2.54mm 單排 DIP 180度
- P:3.96mm 單排 DIP 180度
- P:2.0mm 小杜邦
- P:7.92mm
- P:4.2mm 單排 DIP 90度
- P:2.5mm HOUSING
- P:2.5mm 90度
- P:3.00 mm
- P:2.5mm 小杜邦
- P:2.0mm 90度
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- P:1.25mm 180度
- P:1.25mm 90度
- ZH 1.5mm 90度
- P:1.0mm 90度 SMD
- P:1.0mm 180度 SMD
- P:2.0mm 180度
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- KS 系列 (Mini TYPE) (DC-AC)
- KS 系列 (Mini TYPE) (DC-DC)
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- KT 系列 (DC-AC)
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- IO-X-0604D 系列 (DC - DC)(1/2/4/8 Port)
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- 三相三線 (電感式負截) 系列
- 三相二線 (電熱式負截) 系列
- 三相二線 (電感式負截) 系列
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首頁 > 產品介紹
圖片僅供參考
| FLYiNG 零件編號 | LEDBLBB33V1 |
| FLYiNG 庫存現貨 | 40 |
| 製造商 | BRIGHT |
| 製造商零件編號 | BL-BB33V1 |
| 說明 | LED 3mm 水透 藍光 |
| 無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 | RoHS |
| 訂購數量 | NTD 單價 / PCS |
| 1~9 | 4 |
| 10~99 | 3 |
| 波長 | 460~475nm |
| 可視角度 | 30° |
BL-BB33V1
Features:
Applications:
BL-BB33V1
特徵：
應用範圍：
LED 發光二極體
LED原理-發光二極體(Light Emitting Diode, LED)在1950年代末於實驗室發展出來，
1968年HP開始商業化量產，早期只有單調的暗紅色電子產品指示燈，
1992年Nichia突破藍光LED技術障礙後，逐漸衍生出多重色彩，亮度也大幅提高，
並以顯示器(Display)、表面黏著型(SMD等各種封裝型態深入生活中各個層面。
LED是利用電能直接轉化為光能的原理，在半導體內正負極2個端子施加電壓，
當電流通過，使電子與電洞相結合時，剩餘能量便以光的形式釋放，依其使用的材料的不同，
其能階高低使光子能量產生不同波長的光，人眼所能接受到各種顏色的光，
其波長介於400-780nm，在此區間之外則為不可見光，包括紅外光及紫外光(UV)。
多數LED被稱為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，是由Ⅴ族元素(氮N、磷P、砷As等)
與Ⅲ族元素(鋁Al、鎵Ga、銦In等)結合而成，以與IC半導體所使用之矽(Si)等Ⅳ族元素區別。
傳統液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy, LPE)
與氣相磊晶法 (Vapor Phase Epitaxy, VPE)，以磷化鎵(GaP)或砷化鎵(GaAs)為基板，
用於生產中低亮度LED及紅外光IrDa晶粒，其亮度在1燭光(1000mcd)以下。
有機金屬氣相磊晶法(Metal Organic Vapor Epitaxy, MOCVD)用於生產高亮度LED，
其亮度約在6000-8000mcd。
以AlGaInP四種元素為發光層材料在砷化鎵基板上磊晶者，
發出紅、橙、黃光之琥珀色系，通稱為四元LED；以GaN為材料所生產的藍、綠光LED，
則稱為氮化物LED，一般以藍寶石(Sapphire)為基板，美國大廠CREE則發展出以碳化矽(SiC)為基板的製程。
Features:
1. Chip material: InGaN
2. Emitted color :Blue
3. Lens Appearance : Water Clear
4. Low power consumption.
5. High efficiency.
6. Versatile mounting on P.C. Board or panel.
7. Low current requirement.
8. 3mm diameter package.
9. This product don’t contained restriction substance, compliance RoHS standard
2. Emitted color :Blue
3. Lens Appearance : Water Clear
4. Low power consumption.
5. High efficiency.
6. Versatile mounting on P.C. Board or panel.
7. Low current requirement.
8. 3mm diameter package.
9. This product don’t contained restriction substance, compliance RoHS standard
Applications:
1. TV set
2. Monitor
3. Telephone
4. Computer
5. Circuit board
2. Monitor
3. Telephone
4. Computer
5. Circuit board
BL-BB33V1
特徵：
1.芯片材料：InGaN
2.發光顏色：藍色
3.鏡頭外觀：水透明
4.低功耗。
5.高效率。
6.多功能安裝在PC上 板或面板。
7.低電流要求。
8.直徑3mm的包裝。
9.該產品不含限制物質，符合RoHS標準
2.發光顏色：藍色
3.鏡頭外觀：水透明
4.低功耗。
5.高效率。
6.多功能安裝在PC上 板或面板。
7.低電流要求。
8.直徑3mm的包裝。
9.該產品不含限制物質，符合RoHS標準
應用範圍：
1.電視機
2.監控器
3.電話
4.電腦
5.電路板
2.監控器
3.電話
4.電腦
5.電路板
LED 發光二極體
LED原理-發光二極體(Light Emitting Diode, LED)在1950年代末於實驗室發展出來，
1968年HP開始商業化量產，早期只有單調的暗紅色電子產品指示燈，
1992年Nichia突破藍光LED技術障礙後，逐漸衍生出多重色彩，亮度也大幅提高，
並以顯示器(Display)、表面黏著型(SMD等各種封裝型態深入生活中各個層面。
LED是利用電能直接轉化為光能的原理，在半導體內正負極2個端子施加電壓，
當電流通過，使電子與電洞相結合時，剩餘能量便以光的形式釋放，依其使用的材料的不同，
其能階高低使光子能量產生不同波長的光，人眼所能接受到各種顏色的光，
其波長介於400-780nm，在此區間之外則為不可見光，包括紅外光及紫外光(UV)。
多數LED被稱為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，是由Ⅴ族元素(氮N、磷P、砷As等)
與Ⅲ族元素(鋁Al、鎵Ga、銦In等)結合而成，以與IC半導體所使用之矽(Si)等Ⅳ族元素區別。
傳統液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy, LPE)
與氣相磊晶法 (Vapor Phase Epitaxy, VPE)，以磷化鎵(GaP)或砷化鎵(GaAs)為基板，
用於生產中低亮度LED及紅外光IrDa晶粒，其亮度在1燭光(1000mcd)以下。
有機金屬氣相磊晶法(Metal Organic Vapor Epitaxy, MOCVD)用於生產高亮度LED，
其亮度約在6000-8000mcd。
以AlGaInP四種元素為發光層材料在砷化鎵基板上磊晶者，
發出紅、橙、黃光之琥珀色系，通稱為四元LED；以GaN為材料所生產的藍、綠光LED，
則稱為氮化物LED，一般以藍寶石(Sapphire)為基板，美國大廠CREE則發展出以碳化矽(SiC)為基板的製程。
