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商品項目:15963
庫存現貨

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N Channel Product CEU11N65S 650V 8A TO-252
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商品名稱 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
訂購數量
依數量訂價
18 NTD
FLYiNG 零件編號 ICCEU11N65SCET
FLYiNG 庫存現貨 25
製造商 CET
製造商零件編號 CEU11N65S
說明 N Channel Product CEU11N65S 650V 8A TO-252
無鉛狀態 / RoHS 指令狀態 RoHS
訂購數量 NTD 單價 / PCS
1~9 18
10~99 14
電晶體類型 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
原廠料號 CEU11N65S
漏-源電壓VDS 650V
閘-源電壓 VGS ±20V
漏極電流ID 8A
漏-源擊穿電壓BVDSS 650V
閘極閥值電壓VGS(TH) 2~4V
功耗 69W
工作溫度 -55°C ~ 150°C
無鉛狀態RoHS RoHS
安裝類型 SMD 表面黏著式
封裝/外殼 TO-252(D-PAK)
標準包裝數量 2500/REEL
重量 325mg
CED11N65S/CEU11N65S
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES
  • 650V, 8A, RDS(ON) = 0.42ohm @VGS = 10V.
  • Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
  • High power and current handing capability.
  • RoHS compliant.
  • TO-251 & TO-252 package.

CED11N65S/CEU11N65S
N溝道增強型場效應晶體管

特徵
  • 650V,8A,RDS(ON) = 0.42ohm @VGS = 10V。
  • 超高密度電池設計,可實現極低的 RDS(ON)。
  • 高功率和電流處理能力。
  • 符合 RoHS 標準。
  • TO-251 & TO-252 封裝。